BGX50AE6327是一種高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理場景,包括開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等�
這種功率MOSFET通過�(yōu)化器件結(jié)�(gòu)和材料特�,在提高電流承載能力的同�(shí)降低了能�。其出色的熱性能和電氣性能使其成為高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
類型:N溝道增強(qiáng)�
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ
總功�(Ptot)�350W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
BGX50AE6327的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流條件下能夠顯著降低功��
2. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠工作�
5. 具備ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)芯片的抗靜電能力�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無��
BGX50AE6327廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),用于高效能量轉(zhuǎn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,提供穩(wěn)定的直流輸出電壓�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,控制電�(jī)的啟�(dòng)、停止和�(diào)速�
4. 太陽能逆變�,實(shí)�(xiàn)太陽能電池板與電�(wǎng)之間的電力轉(zhuǎn)換�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�,如PLC控制器和伺服�(qū)�(dòng)器中的功率管理模��
6. 電動(dòng)汽車充電裝置,用于大功率充電系統(tǒng)的開�(guān)控制�
BGX50AE6328
BGX51AE6327
IRFP260N
FDP55N65