時(shí)間：2025/4/29 10:32:28
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BH28FB1WG-TR 是一款高性能的 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），主要用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，適合用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域的電源管理電路。
這款 MOSFET 為 N 溝道增強(qiáng)型器件，其封裝形式為 SOT-23，這種小型化封裝使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場景。
類型：N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓(VDS)：30V
最大柵源電壓(VGS)：±20V
最大漏極電流(ID)：2.9A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))：55mΩ (典型值，VGS=10V)
柵極電荷(Qg)：4nC (典型值)
總功耗(PD)：410mW
工作結(jié)溫范圍(TJ)：-55℃至+150℃
BH28FB1WG-TR 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)性能，能夠有效減少開關(guān)損耗。
3. 高靜電防護(hù)能力（ESD），提升了器件的可靠性。
4. 緊湊的 SOT-23 封裝，節(jié)省了 PCB 布局空間。
5. 廣泛的工作溫度范圍，適用于各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
BH28FB1WG-TR 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. 電池保護(hù)和充電管理電路。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
4. 工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率開關(guān)。
5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和信號切換。
6. 便攜式設(shè)備中的高效能功率管理方案。
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