BH30FB1WHFV-TR 是一款由 Rohm 生產� N 灃道晶體管(N-MOSFET�,采� LFPAK56E 封裝形式。該器件具有低導通電阻和快速開關特�,適合用于高效率功率轉換應用,例� DC/DC 轉換器、負載開關和電機驅動等領��
該型號設計注重降低傳導損耗并提升整體系統(tǒng)效率,同時其緊湊的封裝使其非常適合空間受限的應用場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�78A
導通電阻(典型值,Vgs=10V):0.65mΩ
柵極電荷(典型值)�49nC
反向恢復時間�25ns
工作結溫范圍�-55� � +175�
BH30FB1WHFV-TR 具有超低導通電� (Rds(on)) 和低柵極電荷 (Qg),能夠顯著減少導通和開關損�,從而提高功率轉換效��
� LFPAK56E 封裝采用銅夾技�,具備出色的熱性能和電氣性能,有助于進一步提升系�(tǒng)的可靠性和散熱能力�
此外,該 MOSFET 支持高頻開關操作,并且能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運�,適用于嚴苛的工作條��
該器件還通過� AEC-Q101 認證,確保在汽車級應用中的高可靠��
BH30FB1WHFV-TR 廣泛應用于需要高效功率管理的場合,包括但不限于:
1. 汽車電子領域 - 電池管理系統(tǒng) (BMS)、DC/DC 轉換�、車載充電器 (OBC) 和電動助力轉向系�(tǒng) (EPS)�
2. 工業(yè)設備 - 高效電機驅動、逆變器和不間斷電� (UPS)�
3. 消費類電子產� - 快速充電適配器和大功率音頻放大器�
其卓越的性能和可靠性使其成為許多高性能應用的理想選��
BH160FB1WHFV-TR
BSC015N06NS
IPW60R019P7