BLP03N10-P 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的功率場效應晶體管 (e-Mode GaN FET),專為高頻和高效能應用設計。該器件采用先進的封裝技�,具有低導通電阻和高開關速度的特性,適用于電源轉�、電機驅動以及工�(yè)自動化等領域�
BLP03N10-P 的耐壓值為 100V,并且具有出色的熱性能和可靠�,使其成為傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的高性能替代方案�
額定電壓�100V
最大漏極電流:3A
導通電阻:6.5mΩ
柵極電荷�9nC
輸入電容�1240pF
輸出電容�135pF
反向恢復時間:無(GaN 器件�
工作溫度范圍�-55� � +150�
BLP03N10-P 具有以下顯著特點�
1. 高效的開關性能,適合高頻應用場��
2. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于降低傳導損��
3. �(nèi)置增強型 GaN 晶體�,確保高可靠性和�(wěn)定性�
4. 小巧的封裝尺�,節(jié)� PCB 空間�
5. 出色的熱性能,提高系�(tǒng)的整體效率�
6. 支持快速開�,減少開關損耗并提升系統(tǒng)效能�
7. 無需外部二極管,簡化電路設計�
8. 工作溫度范圍寬廣,適應多種惡劣環(huán)��
BLP03N10-P 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
2. 電機驅動與控��
3. 可再生能源系�(tǒng)中的功率逆變��
4. 電池充電器及 UPS 系統(tǒng)�
5. 汽車電子中的負載開關� DCM/CRM PFC�
6. 工業(yè)設備中的電源管理模塊�
7. LED 驅動器及其他高頻開關應用�
BLP03N10-E, BLP03N10-M