BLP065N10GL-P 是一款基� MOSFET 技術的功率晶體�,屬� N 溝道增強型器�。它主要應用于高頻開關電�、電機驅動和 DC-DC 轉換器等領域。該器件采用 TO-247 封裝形式,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠在較高的工作頻率下保持較低的損��
額定電壓�100V
連續(xù)漏極電流�39A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�68nC
總電容:300pF
封裝形式:TO-247
BLP065N10GL-P 的設計重點在于優(yōu)化開關性能和降低傳導損��
1. 具有非常低的導通電阻(Rds(on)),� 25°C 下僅� 1.8mΩ,可顯著減少功��
2. 柵極電荷較小,有助于提高開關速度并降低開關損��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在過載條件下的可靠��
4. 極低的熱阻使散熱更加高效,從而支持更高的功率密度�
5. 符合 RoHS 標準,確保環(huán)保合�(guī)��
該功� MOSFET 廣泛用于需要高性能開關特性的場景中,包括但不限于以下領域�
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 電機驅動控制電路
3. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模�
4. 新能源汽車充電樁的核心功率元�
5. 太陽能逆變器中的高頻功率切換組�
BLP065N10LS-P, BUK6Y1H-100E