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時(shí)間：2025/5/9 14:13:57
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BS250-TRI是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的電路中。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻，能夠在高電流應(yīng)用中提供卓越的性能。其封裝形式為TO-220，能夠有效散熱并適合多種工業(yè)及消費(fèi)類電子設(shè)備。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
最大漏極電流：16A
導(dǎo)通電阻：0.18Ω
功耗：100W
工作溫度范圍：-55℃至150℃
BS250-TRI具備低導(dǎo)通電阻，從而減少了導(dǎo)電時(shí)的能量損耗，提高了整體效率。同時(shí)，該器件具有快速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用。由于采用TO-220封裝，它具備良好的熱性能，能承受較高的結(jié)溫，這使得它在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景下表現(xiàn)出色。
此外，BS250-TRI擁有較強(qiáng)的抗雪崩能力，可以在異常條件下保護(hù)電路免受損壞。這些特點(diǎn)使其成為許多功率管理解決方案的理想選擇。
BS250-TRI適用于直流到直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、電池充電電路、電機(jī)控制電路以及其他需要高效功率切換的應(yīng)用場(chǎng)景。它也常用于過流保護(hù)電路和負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)，以確保系統(tǒng)運(yùn)行的安全性和穩(wěn)定性。
IRF540N, BUZ11
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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