BS250-TRI是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的電路中。該器件具有較低的導(dǎo)通電�,能夠在高電流應(yīng)用中提供卓越的性能。其封裝形式為TO-220,能夠有效散熱并適合多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:16A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
功耗:100W
工作溫度范圍�-55℃至150�
BS250-TRI具備低導(dǎo)通電阻,從而減少了�(dǎo)電時(shí)的能量損�,提高了整體效率。同�(shí),該器件具有快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�。由于采用TO-220封裝,它具備良好的熱性能,能承受較高的結(jié)溫,這使得它在功率轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)景下表現(xiàn)出色�
此外,BS250-TRI擁有較強(qiáng)的抗雪崩能力,可以在異常條件下保�(hù)電路免受損壞。這些特點(diǎn)使其成為許多功率管理解決方案的理想選��
BS250-TRI適用于直流到直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電池充電電路、電�(jī)控制電路以及其他需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)�。它也常用于過流保護(hù)電路和負(fù)載開�(guān)�(shè)�(jì),以確保系統(tǒng)�(yùn)行的安全性和�(wěn)定性�
IRF540N, BUZ11