BS4200N-2C 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高電子遷移率晶體� (HEMT),廣泛應用于高頻、高功率場景。該器件具有出色的開關性能和低導通電阻特�,適合于電源管理、射頻放大器以及高速開關電路等應用領域�
這款 GaN 晶體管采用了先進的封裝技術,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和功率密度。同�,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和耐高壓能力,使其在各種惡劣環(huán)境下都能保持可靠運行�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�42A
導通電阻:45mΩ
柵極電荷�120nC
開關頻率:高�3MHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
BS4200N-2C 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達600V的工作電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定性�
2. 低導通電阻:�45mΩ的導通電阻有效降低了傳導損�,提升了整體效率�
3. 快速開關速度:得益于其GaN材料�(yōu)�,可以實�(xiàn)高達3MHz的開關頻率,適用于高頻應��
4. 小尺寸設計:采用緊湊型封�,節(jié)省PCB空間�
5. 高可靠性:通過嚴格的質(zhì)量控制流程制�,保證長期使用的可靠性�
6. 寬工作溫度范圍:能夠在極端溫度條件下正常運作,適應多種應用場景需��
BS4200N-2C 廣泛用于以下領域�
1. 高效電源�(zhuǎn)換器:如DC-DC變換�、AC-DC適配��
2. 射頻功率放大器:適用于無線通信基站和其他需要高輸出功率的射頻系�(tǒng)�
3. 電機�(qū)動:為電動汽�、工�(yè)自動化設備中的電機提供高效驅(qū)動方案�
4. 充電器與逆變器:用于快充充電器及太陽能逆變器中以提升能量轉(zhuǎn)換效��
5. �(shù)�(jù)中心供電模塊:幫助構建更加節(jié)能的�(shù)�(jù)中心基礎設施�
GS66508T
TP65H035WS
NexFET CSD18532KCS