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BSC009NE2LS5I 發(fā)布時間 時間:2025/5/27 18:45:38 查看 閱讀:11

BSC009NE2LS5I 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先進(jìn)的技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其設(shè)計(jì)主要針對要求高效率和小尺寸的應(yīng)用場景,例如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換等。此外,該器件還具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下正常運(yùn)行。

參數(shù)

型號:BSC009NE2LS5I
  制造商:Infineon
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-Leadless (TOLL)
  最大漏源電壓(V_DSS):30V
  最大連續(xù)漏極電流(I_D):18A
  導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):4.5mΩ(典型值,@V_GS=10V)
  柵極電荷(Q_g):27nC(典型值)
  總功耗(P_TOT):160W
  工作結(jié)溫范圍(T_j):-55℃ 至 +175℃

特性

BSC009NE2LS5I 具有低導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
  它采用了TO-Leadless (TOLL) 封裝形式,這種封裝不僅減小了器件的體積,而且增強(qiáng)了散熱性能,同時減少了寄生電感對高頻開關(guān)的影響。
  由于其快速開關(guān)速度和低柵極電荷,該器件非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
  其高達(dá)175℃的工作結(jié)溫范圍,確保了在高溫環(huán)境下的可靠操作。此外,器件具備較高的電流承載能力,使其可以滿足大功率應(yīng)用的需求。
  BSC009NE2LS5I 還通過優(yōu)化的設(shè)計(jì)降低了EMI干擾,從而簡化了電路設(shè)計(jì)并提高了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

該MOSFET廣泛應(yīng)用于開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  它也適用于電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
  此外,BSC009NE2LS5I 常用于電機(jī)驅(qū)動電路,以控制直流無刷電機(jī)的速度和方向。
  在工業(yè)自動化領(lǐng)域,這款MOSFET可用于各種固態(tài)繼電器和智能功率模塊中。

替代型號

BSC010N06LSG
  BSC012N06LSG

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