BSC021N08NS5是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用小型SOT-23封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),適用于多種高效能開關(guān)�(yīng)�。它廣泛用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,能夠提供出色的性能和可靠性�
最大漏源電壓:80V
最大柵極源極電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�2.1A
�(dǎo)通電阻:0.95Ω(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:410mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
BSC021N08NS5具有以下顯著特點�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計有助于減少傳導(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)效率�
2. 高雪崩擊穿能量增�(qiáng)了器件的耐用性和魯棒��
3. 小型SOT-23封裝適合空間受限的應(yīng)用場��
4. 極低的輸入電容和輸出電容使其在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色�
5. 工作溫度范圍廣,能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
這款MOSFET主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
3. 電池保護(hù)電路及負(fù)載開�(guān)�
4. 各種便攜式設(shè)備中的電源管��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)動和信號切換�
BSC026N08NS5
BSC022N06NS5
Si2302DS