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BSC030N03LS G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 12:50:06 查看 閱讀:33

BSC030N03LS G 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchSTOP? 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性,適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景。
  這款 MOSFET 主要應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)控制設(shè)備以及汽車電子領(lǐng)域,其封裝形式為 TO-Leadless (TOLL),有助于提高熱性能和減小 PCB 占用面積。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:142A
  導(dǎo)通電阻:0.57mΩ
  柵極電荷:48nC
  開關(guān)頻率:高達(dá)1MHz
  工作溫度范圍:-55℃至175℃
  封裝類型:TO-Leadless (TOLL)

特性

BSC030N03LS G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)),可顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,使其能夠適應(yīng)大功率應(yīng)用場景。
  3. 快速開關(guān)性能,支持高頻操作,適用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
  4. 具備出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
  5. 小型化的封裝設(shè)計(jì),節(jié)省電路板空間并簡化散熱管理。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。

應(yīng)用

BSC030N03LS G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)組件。
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流開關(guān)。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊,例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 和車載充電器 (OBC)。

替代型號(hào)

BSC028N03LS G
  BSC032N03LS G
  IRLB8748PBF
  FDP020N03L

bsc030n03ls g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc030n03ls g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSC030N03LS G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫歐 @ 30A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4300pF @ 15V
  • 功率 - 最大69W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000237661