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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSC030P03NS3 G

BSC030P03NS3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 13:36:00 查看 閱讀�36

BSC030P03NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用了Trench技�(shù),能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)性能,適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。它具有出色的熱�(wěn)定性和耐用�,非常適合需要高頻開(kāi)�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  這款MOSFET采用的是TO-252 (DPAK)封裝形式,使其易于集成到緊湊型設(shè)�(jì)�,同�(shí)具備良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.1A
  �(dǎo)通電阻:6.5mΩ
  柵極電荷�7.5nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

BSC030P03NS3 G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可降低傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
  3. 高度可靠的Trench MOSFET�(jié)�(gòu),確保了�(zhǎng)�(shí)間使用中的穩(wěn)定性�
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)省PCB空間�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝生�(chǎn)�
  6. 良好的熱性能,支持高功率密度�(yīng)用�
  這些特點(diǎn)使得該器件成為許多電力電子應(yīng)用的理想選擇,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載開(kāi)�(guān)��

�(yīng)�

BSC030P03NS3 G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  5. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
  由于其高效的特性和小型化的封裝,該器件在移�(dòng)�(shè)�、計(jì)算機(jī)外設(shè)、家用電器等�(lǐng)域有著廣泛的�(yīng)用前��

替代型號(hào)

BSC030P03NS5 G, BSC030N03NS5 G

bsc030p03ns3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc030p03ns3 g�(chǎn)�

bsc030p03ns3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC030P03NS3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25.4A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.9V @ 345µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs186nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds14000pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000442470