BSC047N08NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。這款MOSFET采用了Trench技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開�(guān)�(yīng)用以及功率轉(zhuǎn)換電路中。其封裝形式為SOT223,能夠滿足工�(yè)、汽車及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的多種需��
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�4.7A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�19nC
總電容:680pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
BSC047N08NS3 G 具有較低的導(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率。同�(shí),該器件具備較高的雪崩擊穿能力,增強(qiáng)了其在異常情況下的耐用��
BSC047N08NS3 G 的快速開�(guān)性能使其非常適合于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器等高頻應(yīng)用。此�,其小型化封裝和出色的熱�(wěn)定性也使其成為緊湊型設(shè)�(jì)的理想選��
BSC047N08NS3 G 主要�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
4. 電池保護(hù)系統(tǒng)
5. 汽車電子控制單元(ECU�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
BSC048N08NS3 G, BSC047N08NS5 G