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BSC057N08NS3 G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 11:53:42 查看 閱讀：39

BSC057N08NS3 G 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽式技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。它主要適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景，如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。該器件的封裝形式為 DPAK (TO-252)，適合表面貼裝工藝。

參數(shù)

最大漏源電壓：80V
　　連續(xù)漏極電流：14A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：5.7mΩ
　　柵極電荷（典型值）：6nC
　　輸入電容（典型值）：1190pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +175℃

特性

BSC057N08NS3 G 具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 高雪崩能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
　　4. 采用無鉛封裝，符合環(huán)保要求。
　　5. 小型化設(shè)計(jì)，有助于節(jié)省 PCB 空間。
　　6. 可靠性高，能在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

這款 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS），包括適配器和充電器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路，例如家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于汽車電子或工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。
　　4. 各種電池管理系統(tǒng)的功率路徑控制。
　　5. 固態(tài)繼電器和其他需要高效開關(guān)操作的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

BSC058N08NS3 G, IRF840, FDP057AN

bsc057n08ns3 g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc057n08ns3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSC057N08NS3 GBSC057N08NS3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫歐 @ 50A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3.5V @ 73µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 40V
  • 功率 - 最大114W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TDSON-8（5.15x6.15）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC057N08NS3 G-NDBSC057N08NS3 GTRSP000447542