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BSC067N06LS3 G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 20:21:36 查看 閱讀：2

BSC067N06LS3 G是一款來(lái)自英飛凌（Infineon）的MOSFET芯片，采用先進(jìn)的TRENCHSTOP技術(shù)制造。該器件屬于OptiMOS系列，專為高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其封裝形式為PG-DSO-8，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器等功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
　　這款MOSFET的最大額定電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達(dá)29A（在環(huán)境溫度25℃時(shí)）。得益于其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的柵極電荷特性，BSC067N06LS3 G能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：29A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：6.7mΩ
　　柵極電荷（Qg）：17nC
　　開關(guān)時(shí)間：典型開啟時(shí)間11ns，典型關(guān)閉時(shí)間24ns
　　封裝形式：PG-DSO-8
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃

特性

BSC067N06LS3 G采用了英飛凌的OptiMOS技術(shù)，具備卓越的熱性能和電氣性能。
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷，適合高頻操作。
　　3. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，提高了器件的魯棒性。
　　4. 支持高工作結(jié)溫（最高175℃），確保在惡劣環(huán)境下可靠運(yùn)行。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

BSC067N06LS3 G廣泛應(yīng)用于各種功率電子設(shè)備中，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）
　　2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器
　　3. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
　　4. 太陽(yáng)能微型逆變器
　　5. 電動(dòng)工具和家電中的高效功率管理
　　6. 汽車電子中的輔助功能模塊
　　由于其高效的功率處理能力和緊湊的設(shè)計(jì)，該器件特別適合需要高性能和小型化解決方案的應(yīng)用場(chǎng)合。

替代型號(hào)

BSC068N06NS3 G, IRFZ44N, FDP067N06L

bsc067n06ls3 g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc067n06ls3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSC067N06LS3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.7 毫歐 @ 50A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.2V @ 35µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 30V
  • 功率 - 最大69W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TDSON-8（5.15x6.15）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC067N06LS3 G-NDBSC067N06LS3 GINTRSP000451084