BSC070N10NS5 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 DPAK (TO-263) 封裝,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)��
這款 MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠在高效率的�(yīng)用場(chǎng)景中提供可靠的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�7A
�(dǎo)通電阻(典型值)�9.5mΩ
柵極電荷�26nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:DPAK (TO-263)
BSC070N10NS5 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)用需��
3. 高擊穿電壓(100V�,適用于多種電壓等級(jí)的應(yīng)用�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠承受較高結(jié)溫(高達(dá) 175℃)�
5. 小型化封裝,便于 PCB 布局�(yōu)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
BSC070N10NS5 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
6. LED �(qū)�(dòng)器和其他高效能電子設(shè)��
BSC070N10NS3G, IRFZ44N