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BSC084P03NS3 G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 18:07:49 查看 閱讀:49

BSC084P03NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 Trench 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。其封裝形式為 TO-Leadless (TOLL),有助于實(shí)現(xiàn)更小的 PCB 占用面積和更好的熱性能。
  這款 MOSFET 的最大特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下可以顯著降低功耗,同時(shí)支持高達(dá) 40V 的漏源極電壓,適合多種中低壓應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏電流:84A
  導(dǎo)通電阻:0.65mΩ(典型值,條件為 Vgs=10V)
  柵極電荷:96nC(典型值)
  輸入電容:2380pF(典型值)
  總功耗:175W
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-Leadless (TOLL)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高電流承載能力,額定電流達(dá)到 84A,可滿足大功率應(yīng)用需求。
  3. 快速開(kāi)關(guān)特性,柵極電荷較低,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
  4. 具備出色的熱性能,得益于 TOLL 封裝設(shè)計(jì),散熱效果更佳。
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  4. 電動(dòng)汽車(chē)及混合動(dòng)力汽車(chē)中的輔助電路控制。
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和功率管理模塊。
  6. 大電流保護(hù)電路和電池管理系統(tǒng)(BMS)。

替代型號(hào)

BSC090P03NS3 G, BSC070P03NS3 G

bsc084p03ns3 g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

bsc084p03ns3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSC084P03NS3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14.9A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫歐 @ 50A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 105µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4785pF @ 15V
  • 功率 - 最大69W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TDSON-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)BSC084P03NS3 G-NDSP000473020