BSC084P03NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 Trench 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。其封裝形式為 TO-Leadless (TOLL),有助于實(shí)現(xiàn)更小的 PCB 占用面積和更好的熱性能。
這款 MOSFET 的最大特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下可以顯著降低功耗,同時(shí)支持高達(dá) 40V 的漏源極電壓,適合多種中低壓應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏電流:84A
導(dǎo)通電阻:0.65mΩ(典型值,條件為 Vgs=10V)
柵極電荷:96nC(典型值)
輸入電容:2380pF(典型值)
總功耗:175W
結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,額定電流達(dá)到 84A,可滿足大功率應(yīng)用需求。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性,柵極電荷較低,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
4. 具備出色的熱性能,得益于 TOLL 封裝設(shè)計(jì),散熱效果更佳。
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 電動(dòng)汽車(chē)及混合動(dòng)力汽車(chē)中的輔助電路控制。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和功率管理模塊。
6. 大電流保護(hù)電路和電池管理系統(tǒng)(BMS)。
BSC090P03NS3 G, BSC070P03NS3 G