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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSC084P03NS3 G

BSC084P03NS3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:07:49 查看 閱讀�49

BSC084P03NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 Trench 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)�。其封裝形式� TO-Leadless (TOLL),有助于�(shí)�(xiàn)更小� PCB 占用面積和更好的熱性能�
  這款 MOSFET 的最大特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下可以顯著降低功耗,同時(shí)支持高達(dá) 40V 的漏源極電壓,適合多種中低壓�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏電流:84A
  �(dǎo)通電阻:0.65mΩ(典型值,條件� Vgs=10V�
  柵極電荷�96nC(典型值)
  輸入電容�2380pF(典型值)
  總功耗:175W
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-Leadless (TOLL)

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力,額定電流�(dá)� 84A,可滿足大功率應(yīng)用需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)特性,柵極電荷較低,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗�
  4. 具備出色的熱性能,得益于 TOLL 封裝�(shè)�(jì),散熱效果更��
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 電動(dòng)汽車(chē)及混合動(dòng)力汽�(chē)中的輔助電路控制�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和功率管理模��
  6. 大電流保�(hù)電路和電池管理系�(tǒng)(BMS��

替代型號(hào)

BSC090P03NS3 G, BSC070P03NS3 G

bsc084p03ns3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

bsc084p03ns3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC084P03NS3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14.9A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.9V @ 105µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4785pF @ 15V
  • 功率 - 最�69W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TDSON-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)BSC084P03NS3 G-NDSP000473020