BSC096N10LS5 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的 TRENCHSTOP? 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,非常適合用于高效能電源管理�(yīng)用�
這種 MOSFET 主要適用于工�(yè)和汽車領(lǐng)�,提供出色的熱性能和電氣性能,同時封裝形式為 TO-Leadless(TOLL�,有助于實現(xiàn)緊湊的系�(tǒng)�(shè)��
型號:BSC096N10LS5
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源電壓)�100V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�9.6mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):128A
功耗:317W
柵極電荷(Qg):45nC
開關(guān)損耗:�
工作溫度范圍�-55°C � 175°C
封裝:TO-Leadless (TOLL)
絕緣耐壓�1500Vrms
BSC096N10LS5 的主要特點是其低 RDS(on) 值僅� 9.6mΩ,從而顯著減少了傳導(dǎo)損耗。此�,它還具備以下優(yōu)點:
- 高效� TRENCHSTOP? 技�(shù)使器件在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
- 極低的柵極電荷(45nC)確保了快速的開關(guān)速度,降低了開關(guān)損��
- 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)惡劣�(huán)境�
- 采用 TO-Leadless 封裝,提升了功率密度并優(yōu)化了 PCB 空間利用率�
- 符合 AEC-Q101 標準,適合汽車級�(yīng)��
- 具有較高的雪崩能力和魯棒�,可提升系統(tǒng)可靠��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種高效率、高功率密度的場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流
- 電機�(qū)動電�
- 開關(guān)電源(SMPS�
- 太陽能逆變�
- 電動汽車充電�(shè)�
- 工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)的功率級模塊
BSC096N10LS5 的高性能和高可靠性使其成為許多大功率�(zhuǎn)換和�(qū)動應(yīng)用的理想選擇�
BSC100N10LS5
BSC085N10LS5
IRFB4110TRPBF
FDP15U10A