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BSC098N10NS5 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 16:41:26 查看 閱讀�10

BSC098N10NS5 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� SuperSO8 封裝。該器件適用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。其主要特點(diǎn)是低的導(dǎo)通電�、快速的開關(guān)速度以及出色的熱性能,非常適合于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用�
  � MOSFET 在設(shè)計上注重提高能效,同時降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�9.8A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�9mΩ
  柵極電荷(典型值)�12nC
  反向恢復(fù)時間�6ns
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

BSC098N10NS5 的導(dǎo)通電阻非常低,僅� 9mΩ,能夠有效減少導(dǎo)通損耗,從而提高整體系�(tǒng)的效��
  � MOSFET 具有快速的開關(guān)速度,可以顯著降低開�(guān)損�,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  � SuperSO8 封裝具有良好的散熱性能,并且與�(biāo)�(zhǔn) SO8 封裝兼容,便于設(shè)計和替換�
  此外,該器件還具備出色的抗雪崩能力,能夠在異常條件下提供更高的可靠��

�(yīng)�

BSC098N10NS5 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備和汽車電子�(lǐng)��
  常見的應(yīng)用包括但不限于:筆記本電腦適配器、智能手�(jī)充電器中的功率轉(zhuǎn)換電�;DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)�;電�(jī)�(qū)動電路中的半橋或全橋配置;各種負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  由于其高效性和耐用�,它也非常適合用于綠色能源相�(guān)的產(chǎn)�,如太陽能逆變器的小功率段�

替代型號

BSC098N10M, IRFZ44N, FDP5570

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