時間：2025/5/24 13:57:02
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BSC500N20NS3G是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件屬于N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-263封裝形式。其主要特點是低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
該器件廣泛用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，能夠在高頻條件下實現(xiàn)高效的功率傳輸。
最大漏源電壓：200V
連續(xù)漏極電流：500A
導(dǎo)通電阻：1.8mΩ
柵極電荷：175nC
開關(guān)時間：開通延遲時間 45ns，關(guān)斷下降時間 25ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-263
BSC500N20NS3G具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高額定電壓（200V），能夠承受較高的電壓波動，確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
3. 快速開關(guān)能力，減少開關(guān)損耗，適合高頻應(yīng)用。
4. 內(nèi)置反并聯(lián)二極管，支持續(xù)流路徑，特別適合于電機驅(qū)動等需要快速換向的應(yīng)用。
5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，允許器件在高溫環(huán)境下長時間工作而不影響性能。
6. 小型化封裝設(shè)計，便于PCB布局和散熱管理。
這些特性使該器件成為工業(yè)及消費電子領(lǐng)域中高性能功率控制的理想選擇。
BSC500N20NS3G適用于多種電力電子應(yīng)用，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 電機驅(qū)動與控制
3. 太陽能逆變器
4. DC-DC轉(zhuǎn)換器
5. 不間斷電源（UPS）
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊
由于其卓越的電氣特性和可靠性，該器件在需要高效率、高功率密度的場合表現(xiàn)出色。
BSC500N20LS_G, IRFP260N, STP500N20F5
