BSC520N15NS3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,屬� OptiMOS 系列。該器件采用先�(jìn)的技�(shù)�(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合用于各種開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動以� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用中�
該芯片的封裝形式� TO-263-3(D2PAK�,具備良好的散熱性能,同時能夠承受較高的電壓和電流負(fù)��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�52A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.4mΩ
柵極電荷�79nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
BSC520N15NS3 G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升了器件的可靠��
4. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無��
6. 封裝�(jié)�(gòu)牢固,適合表面貼裝和通孔安裝工藝�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS��
2. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS��
4. DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換�
6. 電動車輛的輔助系�(tǒng)和車載充電器�
BSC058N10NS3 G, IRF840, STP55NF06