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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSD3C121V

BSD3C121V 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 16:43:34 查看 閱讀�28

BSD3C121V 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝。該芯片主要用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該器件采� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET �(jié)�(gòu),具有出色的熱性能和電氣性能,適用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓:120V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值)
  總柵極電荷:65nC
  輸入電容�2800pF
  功耗:390W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

BSD3C121V 具有低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),這使得它在大電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,可以有效減少功率損耗并提升效率�
  此外,這款 MOSFET 的高開關(guān)速度能夠適應(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)�,同�(shí)其出色的熱性能允許在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  器件封裝�(shè)�(jì)緊湊,支持表面貼裝技�(shù) (SMD),非常適合現(xiàn)代化高密度電路板�(shè)�(jì)需��
  由于采用了先�(jìn)的屏蔽柵� (Shielded Gate) 技�(shù),該芯片還具備較低的開關(guān)損耗和更高的可靠��

�(yīng)�

BSD3C121V 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 太陽能逆變��
  5. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  其高效率和穩(wěn)定性使其成為許多高壓和大電流場(chǎng)景的理想選擇�

替代型號(hào)

BSD3C120N
  IRF3710
  STP40NF12
  FDP16N12B

bsd3c121v推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)