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BSD5A241V35 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 11:41:57 查看 閱讀:11

BSD5A241V35 是一款高性能的功率 MOSFET,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,從而提升了系統(tǒng)的效率和性能。
  該型號(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其特點(diǎn)是能夠在高頻條件下保持低損耗,并且支持較寬的電壓范圍。這使得它在多種工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

參數(shù)

最大漏源電壓:240V
  連續(xù)漏極電流:3.5A
  導(dǎo)通電阻:0.5Ω
  柵極電荷:25nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)啟時(shí)間 25ns,關(guān)斷時(shí)間 15ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

BSD5A241V35 的核心優(yōu)勢(shì)在于其優(yōu)化的電氣性能和可靠性設(shè)計(jì)。以下是該芯片的主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適用于高頻電路環(huán)境,降低開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)機(jī)制,提高了器件在實(shí)際應(yīng)用中的抗靜電能力。
  4. 小型封裝選項(xiàng)(如 TO-252 或 DPAK),有助于節(jié)省 PCB 空間。
  5. 寬泛的工作溫度范圍,使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合長(zhǎng)期使用。
  這些特性使 BSD5A241V35 成為許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

BSD5A241V35 主要用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制元件。
  4. 各類(lèi)負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的功率分配開(kāi)關(guān)。
  由于其出色的性能,這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、家用電器以及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP5802

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