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BSD840N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/26 21:59:07 查看 閱讀：18

BSD840N是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它采用SOT-23封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。
　　該器件在便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子、電源管理以及信號(hào)切換等場(chǎng)景中表現(xiàn)出色，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：1.5A
　　導(dǎo)通電阻：0.7Ω
　　柵極電荷：1.5nC
　　總電容：15pF
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃

特性

BSD840N的主要特性包括：
　　1. 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，有助于減少導(dǎo)通損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻電路應(yīng)用。
　　3. 小型SOT-23封裝，節(jié)省PCB空間。
　　4. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛材料制造。

應(yīng)用

此款MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)。
　　3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　4. 電池保護(hù)電路。
　　5. 各種需要小尺寸、高效能解決方案的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

AO3400
　　IRLML6402
　　FDMT6702

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