BSD840N是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。它采用SOT-23封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)�
該器件在便攜式設(shè)�、消�(fèi)電子、電源管理以及信�(hào)切換等場(chǎng)景中表現(xiàn)出色,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�1.5A
�(dǎo)通電阻:0.7Ω
柵極電荷�1.5nC
總電容:15pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
BSD840N的主要特性包括:
1. 超低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少�(dǎo)通損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻電路應(yīng)��
3. 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
4. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛材料制��
此款MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的功率開(kāi)�(guān)�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 電池保護(hù)電路�
5. 各種需要小尺寸、高效能解決方案的場(chǎng)合�
AO3400
IRLML6402
FDMT6702