BSD840N是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它采用SOT-23封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。
該器件在便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子、電源管理以及信號(hào)切換等場(chǎng)景中表現(xiàn)出色,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:1.5A
導(dǎo)通電阻:0.7Ω
柵極電荷:1.5nC
總電容:15pF
工作溫度范圍:-55℃至150℃
BSD840N的主要特性包括:
1. 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),有助于減少導(dǎo)通損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻電路應(yīng)用。
3. 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間。
4. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種環(huán)境條件。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛材料制造。
此款MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
4. 電池保護(hù)電路。
5. 各種需要小尺寸、高效能解決方案的場(chǎng)合。
AO3400
IRLML6402
FDMT6702