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BSG0810NDIATMA1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 12:27:48 查看 閱讀:36

BSG0810NDIATMA1是一款由英飛凌(Infineon)推出的超小型N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用DFN1010-2封裝形式。這種器件特別適合用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)合,例如便攜式設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及電源管理模塊等。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流:1.4A
  導(dǎo)通電阻(典型值):75mΩ
  柵極閾值電壓:1.2V
  總功耗:120mW
  工作溫度范圍:-55℃至150℃

特性

BSG0810NDIATMA1具備超緊湊的尺寸設(shè)計(jì),僅為1.0mm x 1.0mm,非常適合高密度布局需求。此外,它還擁有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性,能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的損耗。
  該產(chǎn)品采用無引腳封裝,可顯著減少寄生電感的影響,并提升整體系統(tǒng)的可靠性。同時(shí),其低導(dǎo)通電阻特性使其在輕載或待機(jī)模式下表現(xiàn)出優(yōu)異的效率優(yōu)勢(shì)。
  由于采用了濕氣敏感度等級(jí)(MSL)為1的設(shè)計(jì),這款MOSFET可以更好地適應(yīng)自動(dòng)化生產(chǎn)流程中的回流焊工藝。

應(yīng)用

這款微型MOSFET廣泛應(yīng)用于多種電子領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
  2. USB端口保護(hù)電路
  3. 電池供電產(chǎn)品的電源管理
  4. LED驅(qū)動(dòng)器
  5. 信號(hào)切換和邏輯電平轉(zhuǎn)換
  6. 消費(fèi)類音頻設(shè)備中的功率控制
  由于其出色的能效表現(xiàn)和小巧體積,BSG0810NDIATMA1成為了許多對(duì)空間和能耗有嚴(yán)格要求場(chǎng)景的理想選擇。

替代型號(hào)

BSS138, AO3400, SI2302DS

bsg0810ndiatma1推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsg0810ndiatma1產(chǎn)品

bsg0810ndiatma1參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ¥25.60000剪切帶(CT)5,000 : ¥11.27401卷帶(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 配置2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型
  • FET 功能邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng)
  • 漏源電壓(Vdss)25V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)19A,39A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)3 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)8.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1040pF @ 12V
  • 功率 - 最大值2.5W
  • 工作溫度-55°C ~ 155°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TISON-8