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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:27:48 查看 閱讀�36

BSG0810NDIATMA1是一款由英飛凌(Infineon)推出的超小型N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用DFN1010-2封裝形式。這種器件特別適合用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)�,例如便攜式�(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及電源管理模塊等。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流�1.4A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
  柵極閾值電壓:1.2V
  總功耗:120mW
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

BSG0810NDIATMA1具備超緊湊的尺寸�(shè)�(jì),僅�1.0mm x 1.0mm,非常適合高密度布局需�。此外,它還擁有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的損耗�
  該產(chǎn)品采用無引腳封裝,可顯著減少寄生電感的影響,并提升整體系�(tǒng)的可靠�。同�(shí),其低導(dǎo)通電阻特性使其在輕載或待�(jī)模式下表�(xiàn)出優(yōu)異的效率�(yōu)�(shì)�
  由于采用了濕氣敏感度等級(jí)(MSL)為1的設(shè)�(jì),這款MOSFET可以更好地適�(yīng)自動(dòng)化生�(chǎn)流程中的回流焊工��

�(yīng)�

這款微型MOSFET廣泛�(yīng)用于多種電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  2. USB端口保護(hù)電路
  3. 電池供電�(chǎn)品的電源管理
  4. LED�(qū)�(dòng)�
  5. 信號(hào)切換和邏輯電平轉(zhuǎn)�
  6. 消費(fèi)類音頻設(shè)備中的功率控�
  由于其出色的能效表現(xiàn)和小巧體�,BSG0810NDIATMA1成為了許多對(duì)空間和能耗有�(yán)格要求場(chǎng)景的理想選擇�

替代型號(hào)

BSS138, AO3400, SI2302DS

bsg0810ndiatma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsg0810ndiatma1�(chǎn)�

bsg0810ndiatma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �25.60000剪切帶(CT�5,000 : �11.27401卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N 溝道(雙)非�(duì)稱型
  • FET 功能邏輯電平柵極�4.5V �(qū)�(dòng)
  • 漏源電壓(Vdss�25V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)19A�39A
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)8.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1040pF @ 12V
  • 功率 - 最大�2.5W
  • 工作溫度-55°C ~ 155°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TISON-8