BSG0811ND是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化封�,具有低導通電�、快速開�(guān)速度和高效率的特點,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和負載切換�(yīng)�。其�(shè)計目標是為便攜式�(shè)備和消費類電子產(chǎn)品提供高�、可靠的開關(guān)解決方案�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�4.5A
導通電阻:7mΩ
柵極電荷�10nC
開關(guān)時間:典型值ton=6ns, toff=12ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
BSG0811ND具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
3. 小型化的封裝形式,節(jié)省PCB空間,適合緊湊型�(shè)計�
4. 高度�(wěn)定的電氣性能,在寬溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)一致�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池保護電路,如過流保護和短路保��
4. 負載開關(guān)和電機驅(qū)動控��
5. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
6. 工業(yè)自動化中的信號切換和功率�(diào)節(jié)�
AO3400A, IRLML6402TRPBF, FDMQ8208