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BSO110N03MS G 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 17:48:22 查看 閱讀:39

BSO110N03MS G 是一款基于硅材料的 N 沃特型功率場效應(yīng)晶體管 (MOSFET),主要應(yīng)用于高效率、低功耗的開關(guān)電路中。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適合于各種直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場合。
  該型號中的“BSO”代表制造商的品牌系列,“110”表示典型導(dǎo)通電阻值(單位為毫歐),“N”表示 N 沃特型,“03”表示額定電壓為 30V,“MS”則表明封裝形式為表面貼裝類型。

參數(shù)

額定電壓:30V
  最大漏極電流:110A
  導(dǎo)通電阻:1.1mΩ
  柵極電荷:26nC
  總電容:450pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

BSO110N03MS G 的關(guān)鍵特性包括以下幾點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),在 10V 柵源電壓下僅為 1.1 毫歐,從而減少了傳導(dǎo)損耗,提高了系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,最大漏極電流可達(dá) 110 安培,適用于大功率應(yīng)用場景。
  3. 快速開關(guān)性能,其較低的柵極電荷與輸出電容確保了高頻下的高效運(yùn)行。
  4. 封裝采用小型化設(shè)計(jì),便于表面貼裝并節(jié)省 PCB 空間。
  5. 耐高溫性能出色,工作溫度范圍可擴(kuò)展至 -55℃ 至 +175℃,適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。

應(yīng)用

BSO110N03MS G 廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 電動車及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)控制和驅(qū)動電路。
  3. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)組件。
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和切換功能。
  5. 各種負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路,例如過流保護(hù)和短路保護(hù)。
  6. 高頻 PWM 控制器中的功率級開關(guān)元件。

替代型號

BSO118N03LS G, IRF3710, FDP150N03L

bso110n03ms g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

bso110n03ms g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 12.1A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-DSO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSO110N03MS G-NDBSO110N03MS GINTRSP000446062