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BSO613SPV G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 10:23:20 查看 閱讀�40

BSO613SPV G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件適用于多種高效能開關(guān)�(yīng)用場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)�。其低導(dǎo)通電阻特性使得在高電流條件下可以�(shí)�(xiàn)較低的功耗和更高效的性能�
  BSO613SPV G 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于提升效率與可靠�,同�(shí)具有較高的浪涌能力及良好的熱�(wěn)定�,使其能夠勝任較為苛刻的工作�(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�9mΩ
  柵極電荷(典型值)�2.7nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

BSO613SPV G 提供了低�(dǎo)通電阻的�(shè)�(jì),確保了在大電流�(yīng)用場景下更低的能量損�。此外,它的快速開�(guān)速度減少了開�(guān)過程中的能量損失,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  該器件還具備出色的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)溫和溫度波動(dòng),這為高溫�(huán)境下�(yùn)行提供了保障�
  另外,BSO613SPV G 的封裝采用了行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-252 (DPAK),便于安裝與維護(hù),并且兼容大多數(shù)�(xiàn)有的 PCB �(shè)�(jì)流程�
  綜合來看,這款功率 MOSFET 具備高性能、高可靠性和易于使用的特�(diǎn),非常適合需要高效功率管理的�(yīng)用場��

�(yīng)�

BSO613SPV G 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)�。常見的具體�(yīng)用包括:
  - 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整�
  - 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  - 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  - 保護(hù)電路中的過流保護(hù)元件
  由于其高效率和可靠�,BSO613SPV G 在便攜式�(shè)�、家用電�、通信�(shè)備等�(lǐng)域中均得到了廣泛�(yīng)��

替代型號(hào)

AO3400A
  IRLZ44N
  FDP5570
  STP45NF06L

bso613spv g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bso613spv g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SIPMOS®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.44A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 3.44A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds875pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-DSO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSO613SPV G-NDBSO613SPVGTBSO613SPVGXTSP000216309