時間�2025/4/28 16:18:35
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BSP317PH6327是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效功率晶體管，適用于高頻開關應�。該器件采用增強型場效應晶體管（e-mode HEMT）結�，具有極低的導通電阻和快速開關性能。其封裝形式為行�(yè)標準的DFN8封裝，能夠提供出色的散熱性能與緊湊的設計方案�
由于其材料特性，BSP317PH6327相比傳統(tǒng)硅基MOSFET在效�、尺寸和熱管理方面具備顯著優(yōu)勀它特別適合用于高頻率DC-DC轉換�、電源適配器以及各類消費電子設備中的電源管理模塊�
型號：BSP317PH6327
類型：增強型GaN HEMT
最大漏源電壓（Vds）：650 V
最大連續(xù)漏極電流（Id）：4 A
導通電阻（Rds(on)）：170 mΩ（典型值，25°C時）
柵極閾值電壓（Vgs(th)）：0.8 - 2.0 V
輸入電容（Ciss）：1450 pF
輸出電容（Coss）：95 pF
反向恢復電荷（Qrr）：�
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
BSP317PH6327的核心優(yōu)勢在于其采用了先進的氮化鎵半導體技�，這使其具備以下特點：
1. 高效性：得益于超低的導通電阻和極小的開關損耗，能夠在高頻運行下保持高能��
2. 快速開關能力：具備小于5納秒的開啟和關閉時間，非常適合高頻開關應用場��
3. 小型化設計：DFN8封裝使得整體解決方案更加緊湊，滿足現代電子產品對空間的需��
4. 熱穩(wěn)定性強：即使在較高溫度�(huán)境下也能維持�(wěn)定的電氣性能�
5. 可靠性高：通過了多項嚴格的可靠性測�，包括高溫存�、反復循�(huán)操作�，確保長期使用中的耐用性和一致性�
此外，該器件無需體二極管進行反向恢復處理，進一步降低了能量損失并提升了系統(tǒng)效率�
BSP317PH6327廣泛應用于各種需要高效功率轉換的場合，例如：
1. 開關模式電源（SMPS�
2. USB-PD快充適配�
3. LED驅動�
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS�
5. 工業(yè)及消費類AC-DC和DC-DC轉換�
6. 能量回收電路
這款晶體管特別適合要求小型化、輕量化且效率優(yōu)先的設計項目�
BSP316G650,
BSC017N06LS_G,
GAN042-650WSA
