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BSS123LT1G 發(fā)布時間 時間:2024/7/8 15:24:18 查看 閱讀:441

BSS123LT1G是一種低電阻場效應(yīng)晶體管(MOSFET),屬于N溝道類型,適用于低電壓低功率應(yīng)用。它具有快速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和低輸入電容等優(yōu)點(diǎn),可以用于電源管理、LED驅(qū)動、電機(jī)控制和電路保護(hù)等領(lǐng)域。
  BSS123LT1G的工作原理是基于場效應(yīng)晶體管(FET)的工作原理。場效應(yīng)晶體管有三個區(qū)域:源極、漏極和柵極。在BSS123LT1G中,柵極為P型摻雜,源極和漏極為N型摻雜。當(dāng)正電壓施加到柵極時,形成一個電場,使得電子從源極流向漏極。這個過程中,柵極和源極之間的電勢差控制著通道的導(dǎo)電性能。
  在導(dǎo)通狀態(tài)下,BSS123LT1G的電阻非常低,電流可以流過FET的通道,這樣就可以控制輸出電壓。在截止?fàn)顟B(tài)下,F(xiàn)ET的通道被阻塞,電流不能流過,這樣就可以控制輸出電流。因此,BSS123LT1G可以作為開關(guān)或變阻器使用。

基本結(jié)構(gòu)

BSS123LT1G的基本結(jié)構(gòu)包括源極、漏極、柵極和背面金屬。源極和漏極由N型半導(dǎo)體材料制成,柵極由P型摻雜材料制成。背面金屬用于連接源極和柵極,通常被接地。BSS123LT1G的尺寸非常小,可以被制成SOT-23封裝,方便在PCB板上布局。

參數(shù)

BSS123LT1G的參數(shù)包括額定功率、最大電源電壓、漏極電流、漏極-源極電阻、柵極-源極電容等。額定功率為0.45W,最大電源電壓為100V,漏極電流為0.17A,漏極-源極電阻為4.5Ω,柵極-源極電容為14pF。

特點(diǎn)

BSS123LT1G具有多種特點(diǎn)和優(yōu)勢,適用于多種應(yīng)用,如電源管理、電池管理和DC-DC轉(zhuǎn)換。主要特點(diǎn)如下:
  1、低漏極電流:BSS123LT1G的漏極電流很低,適用于低功耗應(yīng)用。
  2、低開啟電壓:BSS123LT1G的開啟電壓很低,適用于低電壓應(yīng)用。
  3、低柵極-源極閾值:BSS123LT1G的柵極-源極閾值很低,適用于低電壓應(yīng)用。
  4、高開關(guān)速度:BSS123LT1G的開關(guān)速度很快,適用于高頻應(yīng)用。
  5、可靠性:BSS123LT1G的可靠性很高,可以長時間穩(wěn)定工作。

工作原理

BSS123LT1G的工作原理是當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時,漏極-源極通道形成,電流可以從漏極到源極流過。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時,通道關(guān)閉,電流無法通過。

應(yīng)用

BSS123LT1G的應(yīng)用主要包括電源管理、電池管理和DC-DC轉(zhuǎn)換。具體應(yīng)用如下:
  1、電源管理:BSS123LT1G可用于低壓降開關(guān)電源中,提供高效的電源控制和保護(hù)。
  2、電池管理:BSS123LT1G可用于電池保護(hù)電路中,以防止電池過充、過放和短路。
  3、DC-DC轉(zhuǎn)換:BSS123LT1G可用于開關(guān)穩(wěn)壓器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,提供高效的電流控制和保護(hù)。

設(shè)計流程

使用BSS123LT1G進(jìn)行設(shè)計需要進(jìn)行以下步驟:
  1、確定應(yīng)用:首先需要確定使用BSS123LT1G的應(yīng)用,例如電源管理、電池管理或DC-DC轉(zhuǎn)換。
  2、選擇電路拓?fù)洌焊鶕?jù)應(yīng)用需求選擇合適的電路拓?fù)�,例如開關(guān)穩(wěn)壓器、升壓或降壓轉(zhuǎn)換器等。
  3、選擇元器件:根據(jù)所選電路拓?fù)浜蛻?yīng)用需求選擇合適的元器件,包括BSS123LT1G、電感、電容、二極管等。
  4、進(jìn)行電路設(shè)計:根據(jù)所選元器件和電路拓?fù)溥M(jìn)行電路設(shè)計,并進(jìn)行仿真和驗(yàn)證。
  5、PCB設(shè)計:根據(jù)電路設(shè)計制作PCB,包括布局、布線、焊接等。
  6、進(jìn)行測試和調(diào)試:對設(shè)計的電路進(jìn)行測試和調(diào)試,確保電路正常工作。

設(shè)計流程

使用BSS123LT1G進(jìn)行設(shè)計需要進(jìn)行以下步驟:
  1、確定應(yīng)用:首先需要確定使用BSS123LT1G的應(yīng)用,例如電源管理、電池管理或DC-DC轉(zhuǎn)換。
  2、選擇電路拓?fù)洌焊鶕?jù)應(yīng)用需求選擇合適的電路拓?fù)�,例如開關(guān)穩(wěn)壓器、升壓或降壓轉(zhuǎn)換器等。
  3、選擇元器件:根據(jù)所選電路拓?fù)浜蛻?yīng)用需求選擇合適的元器件,包括BSS123LT1G、電感、電容、二極管等。
  4、進(jìn)行電路設(shè)計:根據(jù)所選元器件和電路拓?fù)溥M(jìn)行電路設(shè)計,并進(jìn)行仿真和驗(yàn)證。
  5、PCB設(shè)計:根據(jù)電路設(shè)計制作PCB,包括布局、布線、焊接等。
  6、進(jìn)行測試和調(diào)試:對設(shè)計的電路進(jìn)行測試和調(diào)試,確保電路正常工作。

安裝要點(diǎn)

BSS123LT1G的安裝要點(diǎn)包括正確焊接、正確的布局和散熱。以下是具體的安裝要點(diǎn):
  1、焊接:焊接時應(yīng)使用正確的焊接工具和技術(shù),以確保電路板和元器件之間的良好連接。建議使用無鉛焊料以避免鉛污染,同時避免使用過多的焊料以防止短路和其他問題。
  2、布局:正確的布局可以最大程度地減少噪聲和干擾,同時提高電路的性能和可靠性。應(yīng)將BSS123LT1G與其他元器件分開布局,避免相互干擾。應(yīng)盡可能減少元器件之間的距離,以減少電路的電感和噪聲。
  3、散熱:散熱是確保元器件正常工作的重要因素之一。應(yīng)該考慮元器件的功耗和散熱條件,以確保元器件始終處于安全溫度范圍內(nèi)。如果需要更好的散熱,可以使用散熱器或其他散熱設(shè)備。

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bss123lt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C170mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 歐姆 @ 100mA,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds20pF @ 25V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSS123LT1GOSTR