BSS123N是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于各種電子電路�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的電流處理能力,非常適合用于開�(guān)電源、負(fù)載開�(guān)以及邏輯電平�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。其緊湊的封裝形式使其成為空間受限設(shè)�(jì)的理想選��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�0.4A
�(dǎo)通電阻:5歐姆
功耗:340mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
具備低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),從而減少了功率損耗并提高了效��
其高開關(guān)速度使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
此外,由于其小型化SOT-23封裝,這種MOSFET可以被輕易集成到尺寸敏感的應(yīng)用場(chǎng)景中�
還具有良好的靜電防護(hù)性能,確保了在實(shí)際操作中的可靠��
通常�(yīng)用于便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)控制�
在電源管理模塊中,作為高效能的開�(guān)元件�
適用于低功率DC-DC�(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路以及信號(hào)切換電路等場(chǎng)��
也常用于各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品如手機(jī)、平板電腦和其他手持�(shè)備中�
BSS123, BSS84