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BSS138LT1G 發(fā)布時間 時間:2024/7/10 15:00:12 查看 閱讀:533

BSS138LT1G是一種低電壓MOSFET晶體管,由美國半導體公司ON Semiconductor生產。它是一種N型通道晶體管,可用于低電平開關和放大器應用。BSS138LT1G具有低漏電流、低閾值電壓、低電容等特點,使其在低功耗應用中特別受歡迎。它的最大漏電流為1微安,最大漏源電壓為50伏特,最大電流為220毫安,最大功率為600毫瓦特。BSS138LT1G還具有四端子結構,包括源極、漏極、柵極和防靜電引腳,可提高設備的抗靜電能力。此外,BSS138LT1G還具有小尺寸、低成本、高可靠性等優(yōu)點,使其廣泛應用于電池管理、電源管理、音頻放大、電動機控制、LED驅動、自動化控制等領域�?傊�,BSS138LT1G是一種高性能、低功耗、多功能的MOSFET晶體管,適用于各種應用場合。

參數(shù)與指標

BSS138LT1G晶體管是一種低電壓MOSFET晶體管,其主要參數(shù)和指標如下:
  1、額定電壓:50V
  2、額定電流:0.22A
  3、管子類型:N溝道
  4、管子結構:單晶硅
  5、封裝形式:SOT-23
  6、靜態(tài)參數(shù):漏極-源極電阻RDS(on)小于2.5歐姆,漏極電流IDSS小于250uA
  7、動態(tài)參數(shù):漏極電容Ciss小于15pF,漏極-源極電容Coss小于5pF,輸入電容Ciss+Cgd小于30pF

組成結構

BSS138LT1G晶體管由N型單晶硅材料制成,主要由漏極、源極和柵極三個部分組成。
  1、漏極:電流從漏極流入晶體管管子。
  2、源極:電流從源極流出晶體管管子。
  3、柵極:用于控制漏極和源極之間的電流流動。

工作原理

BSS138LT1G晶體管是一種N溝道MOSFET晶體管,其工作原理可簡單描述為:
  1、當柵極電壓為0V時,晶體管管子截止,漏極和源極之間沒有電流流動。
  2、當柵極電壓為正值時,柵極和源極之間形成正向電場,導致電子從源極注入N型溝道,形成導電通道,從而漏極和源極之間形成電流流動。
  3、當柵極電壓為負值時,柵極和源極之間形成反向電場,導致電子從N型溝道中被吸引回源極,導電通道被截止,漏極和源極之間沒有電流流動。

技術要點

BSS138LT1G晶體管具有以下技術要點:
  1、低電壓:額定電壓為50V,適用于低電壓應用。
  2、低漏電流:漏極電流IDSS小于250uA,有助于降低系統(tǒng)功耗。
  3、低漏極-源極電阻:RDS(on)小于2.5歐姆,有助于提高晶體管的開關速度和效率。
  4、小封裝:采用SOT-23封裝形式,適用于小型化設計。

設計流程

BSS138LT1G晶體管的設計流程如下:
  1、確定電路工作電壓和電流。
  2、根據(jù)電路需求選擇合適的BSS138LT1G晶體管。
  3、確定晶體管的極性和引腳編號。
  4、進行布局和連線設計。
  5、進行電路仿真和性能測試。
  6、對測試結果進行分析和改進。

注意事項

BSS138LT1G晶體管的使用注意事項如下:
  1、電路工作電壓和電流應在額定參數(shù)范圍內。
  2、晶體管引腳編號應正確。
  3、布局和連線應注意防靜電干擾。
  4、進行電路仿真和性能測試前應仔細檢查電路連接和參數(shù)設置。

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bss138lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 歐姆 @ 200mA,5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSS138LT1GOSTR