晶體管極�:N
漏極電流, Id 最大�:200mA
電壓, Vds 最�:50V
開態(tài)電阻, Rds(on):3.5ohm
電壓 @ Rds測量:5V
電壓, Vgs 最�:20V
功�:360mW
工作溫度范圍:-55oC to +150oC
晶體管極�:N
漏極電流, Id 最大�:200mA
電壓, Vds 最�:50V
開態(tài)電阻, Rds(on):3.5ohm
電壓 @ Rds測量:5V
電壓, Vgs 最�:20V
功�:360mW
工作溫度范圍:-55oC to +150oC
封裝類型:SOT-23
功率, Pd:0.36W
封裝類型:SOT-23
晶體管類�:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型�:50V
電流, Id 連續(xù):0.2A
電流, Idm 脈沖:0.8A
表面安裝器件:表面安裝
針腳配置:1(G), 2(S),3(D)
閾值電�, Vgs th 典型�:1.5V
閾值電�, Vgs th 最�:0.5V
閾值電�, Vgs th 最�:2V
廠商 |
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Diodes Incorporated |