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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > BSS84DW-7

BSS84DW-7 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 18:51:11 查看 閱讀�20

BSS84DW-7是一種N溝道小信號MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),常用于模擬和數字電路中的開關或放大功能。該器件具有低導通電�、快速開關速度和良好的電氣性能,適合在高頻和低功耗應用中使用�
  BSS84DW-7采用SOT23封裝形式,這種小型化封裝使其非常適合空間受限的電路設計。其主要特點包括高擊穿電�、低漏電流和出色的溫度穩(wěn)定��

參數

最大漏源電壓:50V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:0.15A
  導通電阻:500Ω
  柵極電荷�1nC
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 低導通電阻確保了高效的功率傳輸和較低的能��
  2. 快速開關能力使得該器件適用于高頻電��
  3. 小型SOT23封裝節(jié)省了PCB板上的空��
  4. 高擊穿電壓提供了更強的耐壓能力,增強了器件的可靠��
  5. 工作溫度范圍廣,能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運行�
  6. 極低的漏電流保證了靜�(tài)功耗的最小化�

應用

BSS84DW-7廣泛應用于各種電子設備中,例如便攜式設備、消費電子產�、工�(yè)控制和通信系統(tǒng)。具體應用領域包括:
  1. 開關電源中的同步整流��
  2. 電池管理系統(tǒng)的負載開關�
  3. 數字電路中的邏輯電平轉換�
  4. 信號調理電路中的開關功能�
  5. 過流保護和短路保護電��
  6. 各種傳感器接口電路中的開關元件�

替代型號

BSS84P, BSS138, 2N7000

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bss84dw-7資料 更多>

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bss84dw-7參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C130mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 歐姆 @ 100mA�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds45pF @ 25V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSS84DWDITR