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BSS84EV 發(fā)布時間 時間�2025/6/12 17:37:10 查看 閱讀�10

BSS84EV是一種N溝道增強型小信號MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于各種電子電路�,用于開�(guān)和放大功�。該器件具有低導通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定性等�(yōu)�。其小型化封裝使得它非常適合于空間受限的�(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:-50V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:-0.15A
  功耗:200mW
  導通電阻:300Ω
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

BSS84EV的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓,適用于多種電源管理場��
  2. 極低的輸入電容和輸出電容,確??焖匍_�(guān)性能�
  3. 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
  4. 具有�(yōu)秀的溫度穩(wěn)定性,適合高溫�(huán)境下的應(yīng)��
  5. 適用于電池供電設(shè)備,因其靜態(tài)功耗非常低�
  6. �(nèi)部設(shè)計優(yōu)�,提供出色的ESD防護能力�

�(yīng)�

BSS84EV被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源和直�-直流�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
  2. 便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)�
  3. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切��
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的保護電路�
  5. 各種消費類電子產(chǎn)品中的邏輯電平控制開�(guān)�
  6. 過流保護和短路保護電��
  7. 可穿戴設(shè)備和其他低功耗應(yīng)用場��

替代型號

BSS84P, BSS123, BSS138