BST23C032V是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)特�,適用于需要高效能和高可靠性的電子電路�(shè)��
這款MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的電氣性能和封裝形式,使其能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定的運行狀�(tài),同時支持大電流�(yīng)用。其典型�(yīng)用場景包括DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理模�、電源適配器以及各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制電路�
型號:BST23C032V
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源極電壓(Vds)�30V
最大柵源極電壓(Vgs):�10V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�16A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ (在Vgs=10V�)
柵極電荷(Qg)�38nC
總功�(Ptot)�14W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
存儲溫度范圍�-65℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的可靠��
3. 快速開�(guān)速度減少了開�(guān)損耗,非常適合高頻�(yīng)��
4. 支持大電流操�,能夠滿足高性能功率�(zhuǎn)換需��
5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
6. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定�,減少因溫度變化�(dǎo)致的性能波動�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(yán)格要��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開�(guān)元件�
2. 用于直流-直流(DC-DC)�(zhuǎn)換器中的同步整流�
3. 電池保護(hù)電路和充電管理系�(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)動和控制電路中的功率輸出��
5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
6. LED�(qū)動電路中的電流調(diào)節(jié)組件�
7. 汽車電子中的高可靠性功率開�(guān)�(yīng)��
IRFZ44N, FDP5570, STP16NF06L