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BSZ0909NS 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 11:38:57 查看 閱讀�17

BSZ0909NS是一種高性能的N溝道MOSFET晶體管,采用先進的制造工藝設�,廣泛應用于各種功率轉換和開關電路中。該器件具有低導通電�、高開關速度以及出色的熱性能,非常適合需要高效能和緊湊設計的應用場景�
  該器件適用于消費電子、通信設備、工�(yè)控制以及其他對效率和可靠性要求較高的領域�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�9A
  導通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷�14nC
  開關時間:開啟延遲時� 6ns,上升時� 3ns,關閉延遲時� 7ns,下降時� 3ns

特�

BSZ0909NS的主要特性包括低導通電�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率;高開關速度,有助于減少開關損耗并支持高頻應用;具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在惡劣環(huán)境下長期運行;小型化的封裝形�,適合空間受限的設計需��
  此外,該器件還具有良好的靜電防護能力,可有效防止因ESD導致的損壞。其低寄生電感和電容也使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色�

應用

BSZ0909NS廣泛應用于DC-DC轉換器、負載開�、電機驅�、電源管理模塊以及電池保護電路等場景。由于其高效的開關特性和低損耗特�,特別適合便攜式設備、服務器電源、通信基站電源以及其他對能效有嚴格要求的應用。同�,在多相供電系統(tǒng)�,該MOSFET也可作為關鍵組件提供�(wěn)定的電流輸出�

替代型號

BSZ0906NS
  IRFZ44N
  AO3400

bsz0909ns推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsz0909ns參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ0902NS
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TSDSON-8�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ0909NS-NDBSZ0909NSATMA1SP000832568