BSZ0909NS是一種高性能的N溝道MOSFET晶體管,采用先進的制造工藝設�,廣泛應用于各種功率轉換和開關電路中。該器件具有低導通電�、高開關速度以及出色的熱性能,非常適合需要高效能和緊湊設計的應用場景�
該器件適用于消費電子、通信設備、工�(yè)控制以及其他對效率和可靠性要求較高的領域�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�14nC
開關時間:開啟延遲時� 6ns,上升時� 3ns,關閉延遲時� 7ns,下降時� 3ns
BSZ0909NS的主要特性包括低導通電�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率;高開關速度,有助于減少開關損耗并支持高頻應用;具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在惡劣環(huán)境下長期運行;小型化的封裝形�,適合空間受限的設計需��
此外,該器件還具有良好的靜電防護能力,可有效防止因ESD導致的損壞。其低寄生電感和電容也使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色�
BSZ0909NS廣泛應用于DC-DC轉換器、負載開�、電機驅�、電源管理模塊以及電池保護電路等場景。由于其高效的開關特性和低損耗特�,特別適合便攜式設備、服務器電源、通信基站電源以及其他對能效有嚴格要求的應用。同�,在多相供電系統(tǒng)�,該MOSFET也可作為關鍵組件提供�(wěn)定的電流輸出�
BSZ0906NS
IRFZ44N
AO3400