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BSZ105N04NS G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 15:50:56 查看 閱讀：37

BSZ105N04NS G是一款N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），屬于 Vishay 公司的 SiZF 系列。該器件采用 SuperSOT-23 封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種便攜式設(shè)備中的高效開關(guān)應(yīng)用。
　　由于其小尺寸封裝和出色的電氣性能，這款 MOSFET 常被用于電源管理電路、負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要緊湊型設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景中。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：1.8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.65Ω
　　柵極電荷：3.7nC
　　總功耗：360mW
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
　　封裝類型：SuperSOT-23

特性

BSZ105N04NS G 的主要特性包括：
　　1. 高效開關(guān)性能：得益于低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），該器件在開關(guān)應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，從而提升整體效率。
　　2. 快速開關(guān)速度：較低的柵極電荷使其具備快速的開關(guān)能力，非常適合高頻開關(guān)電路。
　　3. 小型化設(shè)計(jì)：SuperSOT-23 封裝不僅節(jié)省了 PCB 空間，還增強(qiáng)了散熱性能。
　　4. 可靠性高：通過(guò)嚴(yán)格的篩選和測(cè)試流程，確保器件在各種惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 寬工作溫度范圍：支持從 -55℃ 到 +150℃ 的結(jié)溫區(qū)間，適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

該型號(hào)的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
　　2. 電池供電系統(tǒng)的電源管理。
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
　　4. 各類保護(hù)電路，如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型化電源解決方案。

替代型號(hào)

Si2303DS, BSS123

bsz105n04ns g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz105n04ns g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSZ105N04NSG
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫歐 @ 20A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 14µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 20V
  • 功率 - 最大35W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ105N04NSGBSZ105N04NSGINTRBSZ105N04NSGXTSP000388301