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BSZ105N04NS G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/7 15:50:56 查看 閱讀:37

BSZ105N04NS G是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于 Vishay 公司的 SiZF 系列。該器件采用 SuperSOT-23 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種便攜式設(shè)備中的高效開關(guān)應(yīng)用。
  由于其小尺寸封裝和出色的電氣性能,這款 MOSFET 常被用于電源管理電路、負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要緊湊型設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景中。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:1.8A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.65Ω
  柵極電荷:3.7nC
  總功耗:360mW
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
  封裝類型:SuperSOT-23

特性

BSZ105N04NS G 的主要特性包括:
  1. 高效開關(guān)性能:得益于低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),該器件在開關(guān)應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,從而提升整體效率。
  2. 快速開關(guān)速度:較低的柵極電荷使其具備快速的開關(guān)能力,非常適合高頻開關(guān)電路。
  3. 小型化設(shè)計(jì):SuperSOT-23 封裝不僅節(jié)省了 PCB 空間,還增強(qiáng)了散熱性能。
  4. 可靠性高:通過(guò)嚴(yán)格的篩選和測(cè)試流程,確保器件在各種惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 寬工作溫度范圍:支持從 -55℃ 到 +150℃ 的結(jié)溫區(qū)間,適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

該型號(hào)的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  2. 電池供電系統(tǒng)的電源管理。
  3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
  4. 各類保護(hù)電路,如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型化電源解決方案。

替代型號(hào)

Si2303DS, BSS123

bsz105n04ns g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz105n04ns g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSZ105N04NSG
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 14µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 20V
  • 功率 - 最大35W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ105N04NSGBSZ105N04NSGINTRBSZ105N04NSGXTSP000388301