BSZ105N04NS G是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于 Vishay 公司的 SiZF 系列。該器件采用 SuperSOT-23 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種便攜式設(shè)備中的高效開關(guān)應(yīng)用。
由于其小尺寸封裝和出色的電氣性能,這款 MOSFET 常被用于電源管理電路、負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要緊湊型設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景中。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:1.8A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.65Ω
柵極電荷:3.7nC
總功耗:360mW
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
封裝類型:SuperSOT-23
BSZ105N04NS G 的主要特性包括:
1. 高效開關(guān)性能:得益于低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),該器件在開關(guān)應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,從而提升整體效率。
2. 快速開關(guān)速度:較低的柵極電荷使其具備快速的開關(guān)能力,非常適合高頻開關(guān)電路。
3. 小型化設(shè)計(jì):SuperSOT-23 封裝不僅節(jié)省了 PCB 空間,還增強(qiáng)了散熱性能。
4. 可靠性高:通過(guò)嚴(yán)格的篩選和測(cè)試流程,確保器件在各種惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 寬工作溫度范圍:支持從 -55℃ 到 +150℃ 的結(jié)溫區(qū)間,適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。
該型號(hào)的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
2. 電池供電系統(tǒng)的電源管理。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
4. 各類保護(hù)電路,如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型化電源解決方案。
Si2303DS, BSS123