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BSZ110N06NS3G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/30 19:31:24 查看 閱讀：32

BSZ110N06NS3G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，屬于STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）的MDmesh?系列。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn)，適用于多種開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為TO-220AB，便于散熱設(shè)計(jì)。這款MOSFET在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　MDmesh?技術(shù)通過(guò)優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)，使得該器件能夠在較低的導(dǎo)通損耗下工作，同時(shí)保持較高的耐壓性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：11A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.9Ω
　　柵極電荷（典型值）：45nC
　　總功耗：180W
　　結(jié)溫范圍：-55℃至175℃

特性

BSZ110N06NS3G的主要特性包括：
　　1. 高擊穿電壓（650V），確保在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
　　2. 低導(dǎo)通電阻（典型值為1.9Ω），可降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　3. 較小的柵極電荷（45nC典型值），有助于減少開關(guān)損耗。
　　4. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
　　5. 結(jié)溫高達(dá)175℃，適應(yīng)高溫工作環(huán)境。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。

應(yīng)用

該MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率因數(shù)校正（PFC）電路。
　　2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
　　3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
　　5. 電動(dòng)車充電裝置及電池管理系統(tǒng)（BMS）。
　　由于其出色的性能和可靠性，BSZ110N06NS3G非常適合需要高效能和高穩(wěn)定性的電力電子應(yīng)用。

替代型號(hào)

BZX84-C6V8, IRF540N

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz110n06ns3g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSZ110N06NS3G BSZ110N06NS3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單路
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 20A, 10V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 23µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)2700pF @ 30V
  • 功率 - 最大50W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ110N06NS3GINTR SP000453676