BSZ110N06NS3G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,屬于STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)的MDmesh?系列。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn),適用于多種開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為TO-220AB,便于散熱設(shè)計(jì)。這款MOSFET在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
MDmesh?技術(shù)通過(guò)優(yōu)化單元結(jié)構(gòu),使得該器件能夠在較低的導(dǎo)通損耗下工作,同時(shí)保持較高的耐壓性能。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:11A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.9Ω
柵極電荷(典型值):45nC
總功耗:180W
結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
BSZ110N06NS3G的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(650V),確保在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻(典型值為1.9Ω),可降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
3. 較小的柵極電荷(45nC典型值),有助于減少開關(guān)損耗。
4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
5. 結(jié)溫高達(dá)175℃,適應(yīng)高溫工作環(huán)境。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
該MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率因數(shù)校正(PFC)電路。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
5. 電動(dòng)車充電裝置及電池管理系統(tǒng)(BMS)。
由于其出色的性能和可靠性,BSZ110N06NS3G非常適合需要高效能和高穩(wěn)定性的電力電子應(yīng)用。
BZX84-C6V8, IRF540N