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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSZ110N06NS3G

BSZ110N06NS3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 19:31:24 查看 閱讀�32

BSZ110N06NS3G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,屬于STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)的MDmesh?系列。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn),適用于多種開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-220AB,便于散熱設(shè)�(jì)。這款MOSFET在功率轉(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  MDmesh?技�(shù)通過(guò)�(yōu)化單元結(jié)�(gòu),使得該器件能夠在較低的�(dǎo)通損耗下工作,同�(shí)保持較高的耐壓性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.9Ω
  柵極電荷(典型值)�45nC
  總功耗:180W
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

BSZ110N06NS3G的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻(典型值為1.9Ω),可降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 較小的柵極電荷(45nC典型值),有助于減少開關(guān)損��
  4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
  5. �(jié)溫高�(dá)175℃,適應(yīng)高溫工作�(huán)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率因�(shù)校正(PFC)電��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控��
  3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備�
  5. 電動(dòng)車充電裝置及電池管理系統(tǒng)(BMS��
  由于其出色的性能和可靠性,BSZ110N06NS3G非常適合需要高效能和高�(wěn)定性的電力電子�(yīng)��

替代型號(hào)

BZX84-C6V8, IRF540N

bsz110n06ns3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz110n06ns3g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ110N06NS3G BSZ110N06NS3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 單路
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 20A, 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 23µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss)2700pF @ 30V
  • 功率 - 最�50W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ110N06NS3GINTR SP000453676