BSZ110N06NS3G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,屬于STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)的MDmesh?系列。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn),適用于多種開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-220AB,便于散熱設(shè)�(jì)。這款MOSFET在功率轉(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
MDmesh?技�(shù)通過(guò)�(yōu)化單元結(jié)�(gòu),使得該器件能夠在較低的�(dǎo)通損耗下工作,同�(shí)保持較高的耐壓性能�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.9Ω
柵極電荷(典型值)�45nC
總功耗:180W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
BSZ110N06NS3G的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)��
2. 低導(dǎo)通電阻(典型值為1.9Ω),可降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 較小的柵極電荷(45nC典型值),有助于減少開關(guān)損��
4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
5. �(jié)溫高�(dá)175℃,適應(yīng)高溫工作�(huán)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率因�(shù)校正(PFC)電��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控��
3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備�
5. 電動(dòng)車充電裝置及電池管理系統(tǒng)(BMS��
由于其出色的性能和可靠性,BSZ110N06NS3G非常適合需要高效能和高�(wěn)定性的電力電子�(yīng)��
BZX84-C6V8, IRF540N