BSZ120P03NS3E G是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,主要應用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和負載開�(guān)等領域。該器件采用SOT-23封裝形式,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合于需要高效能和小型化設計的電路中�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
持續(xù)漏極電流�0.4A
導通電阻:0.9Ω(典型值,當Vgs=4.5V時)
柵極電荷�3nC(典型值)
總電容:16pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
BSZ120P03NS3E G的主要特點是其低導通電阻和小尺寸封裝,這使其非常適合便攜式電子設備中的電源管理應用�
1. 高效性:低導通電阻可以減少功率損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 小型化設計:SOT-23封裝節(jié)省了PCB空間,非常適合空間受限的應用場景�
3. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷和較低的輸入電容使器件能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),從而降低開�(guān)損��
4. �(wěn)定性:在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能,確??煽�?�
這款MOSFET廣泛應用于各種電子領�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源和穩(wěn)壓器�
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 負載�(PoL)�(zhuǎn)換器
2. 電池管理系統(tǒng)�
- 手機和平板電腦中的電池保護電�
- 充電控制�
3. 信號切換�
- 多路復用器和解復用器中的開關(guān)
4. 消費類電子產(chǎn)品:
- USB充電端口保護
- 耳機放大器的開關(guān)
此外,它還適用于工業(yè)控制和汽車電子中的簡單開�(guān)功能�
AO3400A
FDMT3370
IRLML6401