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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BSZ120P03NS3E G

BSZ120P03NS3E G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 15:37:22 查看 閱讀�8

BSZ120P03NS3E G是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,主要應用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和負載開�(guān)等領域。該器件采用SOT-23封裝形式,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合于需要高效能和小型化設計的電路中�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  持續(xù)漏極電流�0.4A
  導通電阻:0.9Ω(典型值,當Vgs=4.5V時)
  柵極電荷�3nC(典型值)
  總電容:16pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

BSZ120P03NS3E G的主要特點是其低導通電阻和小尺寸封裝,這使其非常適合便攜式電子設備中的電源管理應用�
  1. 高效性:低導通電阻可以減少功率損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 小型化設計:SOT-23封裝節(jié)省了PCB空間,非常適合空間受限的應用場景�
  3. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷和較低的輸入電容使器件能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),從而降低開�(guān)損��
  4. �(wěn)定性:在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能,確??煽�?�

應用

這款MOSFET廣泛應用于各種電子領�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源和穩(wěn)壓器�
   - DC-DC�(zhuǎn)換器
   - 負載�(PoL)�(zhuǎn)換器
  2. 電池管理系統(tǒng)�
   - 手機和平板電腦中的電池保護電�
   - 充電控制�
  3. 信號切換�
   - 多路復用器和解復用器中的開關(guān)
  4. 消費類電子產(chǎn)品:
   - USB充電端口保護
   - 耳機放大器的開關(guān)
  此外,它還適用于工業(yè)控制和汽車電子中的簡單開�(guān)功能�

替代型號

AO3400A
  FDMT3370
  IRLML6401

bsz120p03ns3e g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsz120p03ns3e g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ120P03NS3E G
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 73µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3360pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TSDSON-8�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000709730