時間：2025/5/10 13:00:13
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BSZ16DN25NS3GATMA1是一款由意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TOLL封裝形式，適合高頻和高功率應用場合。
此MOSFET在設計上注重降低導通電阻以及優(yōu)化開關性能，適用于多種電源管理場景，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關等。此外，其具備的低柵極電荷特性有助于提高效率并減少開關損耗。
最大漏源電壓：250V
連續(xù)漏極電流：16A
導通電阻：70mΩ
柵極電荷：48nC
總電容：2220pF
工作溫度范圍：-55℃ to 175℃
BSZ16DN25NS3GATMA1具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，能夠承受高達250V的漏源電壓。
2. 低導通電阻（Rds(on)），僅為70mΩ，有助于降低傳導損耗。
3. 低柵極電荷（Qg），為48nC，可實現(xiàn)快速開關，從而減少開關損耗。
4. TOLL封裝，支持更高的功率密度與更佳的散熱性能。
5. 寬工作溫度范圍（-55°C到175°C），適應各種極端環(huán)境下的應用需求。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該器件廣泛應用于多個領域，包括但不限于：
1. 開關模式電源（SMPS），如AC-DC適配器和充電器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，在電動汽車和工業(yè)設備中用于電壓調(diào)節(jié)。
3. 電機驅(qū)動控制，用于家用電器和工業(yè)自動化系統(tǒng)。
4. 太陽能逆變器，提升能源轉(zhuǎn)換效率。
5. 各類負載開關和保護電路，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性。
BSZ120N25NS3GATMA1
