BSZ16DN25NS3GATMA1是一款由意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TOLL封裝形式,適合高頻和高功率應用場��
此MOSFET在設計上注重降低導通電阻以及優(yōu)化開關性能,適用于多種電源管理場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開關等。此�,其具備的低柵極電荷特性有助于提高效率并減少開關損��
最大漏源電壓:250V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻:70mΩ
柵極電荷�48nC
總電容:2220pF
工作溫度范圍�-55� to 175�
BSZ16DN25NS3GATMA1具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�250V的漏源電��
2. 低導通電阻(Rds(on)),僅為70mΩ,有助于降低傳導損耗�
3. 低柵極電荷(Qg�,為48nC,可實現(xiàn)快速開�,從而減少開關損耗�
4. TOLL封裝,支持更高的功率密度與更佳的散熱性能�
5. 寬工作溫度范圍(-55°C�175°C�,適應各種極端環(huán)境下的應用需求�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該器件廣泛應用于多個領�,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,在電動汽車和工�(yè)設備中用于電壓調(diào)節(jié)�
3. 電機�(qū)動控制,用于家用電器和工�(yè)自動化系�(tǒng)�
4. 太陽能逆變器,提升能源�(zhuǎn)換效��
5. 各類負載開關和保護電路,確保系統(tǒng)�(wěn)定性和安全��
BSZ120N25NS3GATMA1