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BSZ16DN25NS3GATMA1 發(fā)布時間 時間:2025/5/10 13:00:13 查看 閱讀:24

BSZ16DN25NS3GATMA1是一款由意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TOLL封裝形式,適合高頻和高功率應用場合。
  此MOSFET在設計上注重降低導通電阻以及優(yōu)化開關性能,適用于多種電源管理場景,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關等。此外,其具備的低柵極電荷特性有助于提高效率并減少開關損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓:250V
  連續(xù)漏極電流:16A
  導通電阻:70mΩ
  柵極電荷:48nC
  總電容:2220pF
  工作溫度范圍:-55℃ to 175℃

特性

BSZ16DN25NS3GATMA1具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高達250V的漏源電壓。
  2. 低導通電阻(Rds(on)),僅為70mΩ,有助于降低傳導損耗。
  3. 低柵極電荷(Qg),為48nC,可實現(xiàn)快速開關,從而減少開關損耗。
  4. TOLL封裝,支持更高的功率密度與更佳的散熱性能。
  5. 寬工作溫度范圍(-55°C到175°C),適應各種極端環(huán)境下的應用需求。
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。

應用

該器件廣泛應用于多個領域,包括但不限于:
  1. 開關模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,在電動汽車和工業(yè)設備中用于電壓調(diào)節(jié)。
  3. 電機驅(qū)動控制,用于家用電器和工業(yè)自動化系統(tǒng)。
  4. 太陽能逆變器,提升能源轉(zhuǎn)換效率。
  5. 各類負載開關和保護電路,確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性。

替代型號

BSZ120N25NS3GATMA1

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  • 產(chǎn)品型號
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  • 封裝/批號
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bsz16dn25ns3gatma1參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥17.65000剪切帶(CT)5,000 : ¥7.76324卷帶(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)250 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)10.9A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)165 毫歐 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)4V @ 32μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)11.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)920 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)62.5W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝PG-TSDSON-8
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN