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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BSZ180P03NS3E G

BSZ180P03NS3E G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 15:53:26 查看 閱讀�9

BSZ180P03NS3E G 是一款基于硅技�(shù)的超快恢復整流二極管(Ultrafast Recovery Rectifier�,由知名半導體廠商制�。這款二極管主要用于高頻開�(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換應用中,其設計旨在提供較低的正向電壓降、快速的恢復時間和低反向漏電�。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式,適用于表面貼裝工藝。由于其�(yōu)異的性能表現(xiàn),廣泛應用于各種工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品中的高效電源轉(zhuǎn)換解決方��
  BSZ180P03NS3E G 的主要特點包括出色的熱性能、高浪涌能力以及在高頻條件下保持�(wěn)定性的能力。這些特性使其非常適合于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高性能整流的應用場��

參數(shù)

最大重復峰值反向電壓:30V
  最大直流阻斷電壓:30V
  最大平均正向整流電流:8A
  典型正向電壓降:0.75V
  最大功耗:75W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  工作頻率:高� 100kHz

特�

BSZ180P03NS3E G 的關(guān)鍵特性在于其具備非常低的正向?qū)▔�?,這有助于減少功率損耗并提高整體效率。此�,它還擁有快速的恢復時間,通常小于 35ns,確保了在高頻應用中的卓越性能表現(xiàn)�
  該器件采用了先進的封裝技�(shù),從而提供了�(yōu)良的散熱性能,并且能夠在較高的環(huán)境溫度下可靠運行。同時,其低反向漏電流特性進一步增強了在高溫條件下的穩(wěn)定��
  對于電磁兼容性要求較高的系統(tǒng)來說,BSZ180P03NS3E G 憑借其良好的瞬�(tài)響應特性和抗干擾能�,能夠有效降低噪聲對系統(tǒng)的影�。另�,它的高浪涌電流能力也為系統(tǒng)提供了額外的保護�

應用

BSZ180P03NS3E G 廣泛用于多種高頻和高效率的電力電子設備中,具體應用場景包括但不限于以下:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的整流部分,例如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機�(qū)動電路中的續(xù)流二極管�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 各種類型的工�(yè)控制設備和家用電器中的電源管理單��
  5. 高頻脈寬�(diào)制(PWM)電路中的整流元��
  6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)與電�(qū)系統(tǒng)相關(guān)的功率轉(zhuǎn)換部分�
  通過使用 BSZ180P03NS3E G,可以顯著提升這些系統(tǒng)的效率并改善其動�(tài)性能�

替代型號

BSZ180P03NS3

bsz180p03ns3e g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsz180p03ns3e g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ180P03NS3E G
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C39.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 48µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2220pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TSDSON-8�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000709740