BSZ900N20NS3G是一款基于MOSFET技術的N溝道增強型功率場效應晶體管(Power MOSFET)。該器件采用先進的半導體制造工藝,適用于高壓、高頻應用場景。其設計旨在提供低導通電阻和高開關速度,以滿足現(xiàn)代電力電子設備對效率和性能的要求。該器件廣泛應用于開關電源、電機驅動器、DC-DC轉換器等領域。
該芯片的最大漏源電壓為200V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備較強的電流處理能力。此外,它還具有較低的柵極電荷和輸出電容,從而提高了開關效率并減少了能量損耗。
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流:9A
導通電阻(典型值):0.18Ω
柵極電荷:15nC
總電容:480pF
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
BSZ900N20NS3G的主要特點是其高效的開關特性和出色的熱穩(wěn)定性。該器件采用了優(yōu)化的芯片結構,使其在高頻開關條件下表現(xiàn)出較低的導通損耗和開關損耗。同時,其較低的柵極電荷和輸出電容有助于減少開關延遲時間,從而提升整體系統(tǒng)效率。
該器件還具備良好的短路耐受能力,能夠在短時間內承受過載條件而不會損壞。此外,其工作溫度范圍較寬,適合各種惡劣環(huán)境下的應用。這些特性使得BSZ900N20NS3G成為許多高壓功率轉換應用的理想選擇。
BSZ900N20NS3G廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC轉換器
3. 電機驅動器
4. 逆變器
5. 充電器
6. 電磁閥驅動
由于其優(yōu)異的性能和可靠性,這款MOSFET特別適合需要高效能和高穩(wěn)定性的工業(yè)及消費類電子產品。
BSZ900N20NS3L
IRFZ44N
STP90NF20
FQP19N20