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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > BSZ900N20NS3G

BSZ900N20NS3G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 17:35:51 查看 閱讀�32

BSZ900N20NS3G是一款基于MOSFET技術的N溝道增強型功率場效應晶體管(Power MOSFET�。該器件采用先進的半導體制造工�,適用于高壓、高頻應用場�。其設計旨在提供低導通電阻和高開關速度,以滿足�(xiàn)代電力電子設備對效率和性能的要�。該器件廣泛應用于開關電�、電機驅動器、DC-DC轉換器等領域�
  該芯片的最大漏源電壓為200V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備較強的電流處理能力。此�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電容,從而提高了開關效率并減少了能量損��

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�9A
  導通電阻(典型值)�0.18Ω
  柵極電荷�15nC
  總電容:480pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

BSZ900N20NS3G的主要特點是其高效的開關特性和出色的熱�(wěn)定性。該器件采用了優(yōu)化的芯片結構,使其在高頻開關條件下表�(xiàn)出較低的導通損耗和開關損�。同時,其較低的柵極電荷和輸出電容有助于減少開關延遲時間,從而提升整體系�(tǒng)效率�
  該器件還具備良好的短路耐受能力,能夠在短時間內承受過載條件而不會損�。此�,其工作溫度范圍較寬,適合各種惡劣環(huán)境下的應�。這些特性使得BSZ900N20NS3G成為許多高壓功率轉換應用的理想選擇�

應用

BSZ900N20NS3G廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC轉換�
  3. 電機驅動�
  4. 逆變�
  5. 充電�
  6. 電磁閥驅�
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效能和高�(wěn)定性的工業(yè)及消費類電子產品�

替代型號

BSZ900N20NS3L
  IRFZ44N
  STP90NF20
  FQP19N20

bsz900n20ns3g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsz900n20ns3g參數(shù)

  • 制造商Infineon
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓200 V
  • �/源擊穿電�20 V
  • 漏極連續(xù)電流15.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)77 mOhms
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體PG-TDSON-8
  • 封裝Reel
  • 正向跨導 gFS(最大�/最小值)16 S, 8 S
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散62.5 W
  • 零件號別�BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GXT