BSZ900N20NS3G是一款基于MOSFET技術的N溝道增強型功率場效應晶體管(Power MOSFET�。該器件采用先進的半導體制造工�,適用于高壓、高頻應用場�。其設計旨在提供低導通電阻和高開關速度,以滿足�(xiàn)代電力電子設備對效率和性能的要�。該器件廣泛應用于開關電�、電機驅動器、DC-DC轉換器等領域�
該芯片的最大漏源電壓為200V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備較強的電流處理能力。此�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電容,從而提高了開關效率并減少了能量損��
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻(典型值)�0.18Ω
柵極電荷�15nC
總電容:480pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
BSZ900N20NS3G的主要特點是其高效的開關特性和出色的熱�(wěn)定性。該器件采用了優(yōu)化的芯片結構,使其在高頻開關條件下表�(xiàn)出較低的導通損耗和開關損�。同時,其較低的柵極電荷和輸出電容有助于減少開關延遲時間,從而提升整體系�(tǒng)效率�
該器件還具備良好的短路耐受能力,能夠在短時間內承受過載條件而不會損�。此�,其工作溫度范圍較寬,適合各種惡劣環(huán)境下的應�。這些特性使得BSZ900N20NS3G成為許多高壓功率轉換應用的理想選擇�
BSZ900N20NS3G廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動�
4. 逆變�
5. 充電�
6. 電磁閥驅�
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效能和高�(wěn)定性的工業(yè)及消費類電子產品�
BSZ900N20NS3L
IRFZ44N
STP90NF20
FQP19N20