BT169GW 是一種高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效開�(guān)特性的電路�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低能��
BT169GW 的設(shè)�(jì)使其在高頻工作條件下依然保持出色的性能,同�(shí)其封裝形式也支持高效的散熱管�,適用于�(duì)功率密度和熱性能要求較高的場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵極源極電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
總功耗:180W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
BT169GW 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)特�,有助于降低開關(guān)損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性�
4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在高溫�(huán)境下長期�(yùn)��
5. 支持多種保護(hù)功能的集成設(shè)�(jì),如過流保護(hù)和短路保�(hù)�
6. 封裝形式適合高效的散熱管理,滿足高功率密度應(yīng)用需��
BT169GW 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流管或高頻開關(guān)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和電動(dòng)車充電裝置中的功率轉(zhuǎn)換部分�
6. 各類需要高效功率開�(guān)的消�(fèi)類電子產(chǎn)�,例如筆記本適配器和LED�(qū)�(dòng)電源�
IRF840, BUZ11, FDP55N06L