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BT8060KP 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 12:36:37 查看 閱讀:12

BT8060KP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
  BT8060KP 屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其優(yōu)化設(shè)計(jì)使其非常適合需要高效能和小體積的應(yīng)用場景。

參數(shù)

型號:BT8060KP
  類型:N 溝道 MOSFET
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  Id(連續(xù)漏極電流):125A
  Qg(柵極電荷):35nC
  fT(特征頻率):2.7MHz
  Vgs(th)(柵源開啟電壓):2.2V~4.0V
  封裝形式:TO-247

特性

BT8060KP 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可減少導(dǎo)通損耗并提升效率。
  2. 高額定電流能力 (Id),適合大功率應(yīng)用。
  3. 快速開關(guān)性能,能夠有效降低開關(guān)損耗。
  4. 較高的雪崩能量耐受能力,提高了系統(tǒng)的可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
  6. 穩(wěn)定的工作溫度范圍 (-55°C 至 +150°C),適應(yīng)各種環(huán)境條件。
  7. 先進(jìn)的溝槽技術(shù)提升了單位面積內(nèi)的電流承載能力。

應(yīng)用

BT8060KP 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級控制元件。
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相關(guān)產(chǎn)品。
  6. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電機(jī)控制器。

替代型號

IRFB4110, FDP5500

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