BTR04G02是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于需要高效開�(guān)和功率控制的場景,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)等。該器件采用小型化封�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中提供�(yōu)異的性能�
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±10V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):65mΩ
總功耗:1W
工作溫度范圍�-55� to +150�
BTR04G02的主要特性包括低�(dǎo)通電阻以減少功率損�,快速開�(guān)能力確保了在高頻操作中的高效性,同時具備高靜電放電(ESD)防�(hù)能力以提高可靠�。此�,其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,適合便攜式和空間受限的�(shè)��
由于采用了先�(jìn)的制造工�,該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和較低的柵極電�,這使得驅(qū)動損耗得以降�,并且能夠更方便地與其他邏輯電路兼容�
BTR04G02適用于多種電子領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源中的同步整流
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
3. 電池保護(hù)和管理電�
4. 小型電機�(qū)�
5. �(fù)載開�(guān)及過流保�(hù)電路
6. 消費類電子產(chǎn)品中的信號切換功�
BTR04G03, BSS138, FDN340P