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BTR04G02 發(fā)布時間 時間:2025/5/24 18:03:52 查看 閱讀:24

BTR04G02是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它廣泛應(yīng)用于需要高效開關(guān)和功率控制的場景,例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等。該器件采用小型化封裝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大柵源電壓:±10V
  連續(xù)漏極電流:2A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):65mΩ
  總功耗:1W
  工作溫度范圍:-55℃ to +150℃

特性

BTR04G02的主要特性包括低導(dǎo)通電阻以減少功率損耗,快速開關(guān)能力確保了在高頻操作中的高效性,同時具備高靜電放電(ESD)防護(hù)能力以提高可靠性。此外,其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,適合便攜式和空間受限的設(shè)計。
  由于采用了先進(jìn)的制造工藝,該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和較低的柵極電荷,這使得驅(qū)動損耗得以降低,并且能夠更方便地與其他邏輯電路兼容。

應(yīng)用

BTR04G02適用于多種電子領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
  3. 電池保護(hù)和管理電路
  4. 小型電機驅(qū)動
  5. 負(fù)載開關(guān)及過流保護(hù)電路
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的信號切換功能

替代型號

BTR04G03, BSS138, FDN340P

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