時間：2025/5/24 18:03:52
閱讀：24
BTR04G02是一種N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它廣泛應(yīng)用于需要高效開關(guān)和功率控制的場景，例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等。該器件采用小型化封裝，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，能夠在高頻應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能。
最大漏源電壓：40V
最大柵源電壓：±10V
連續(xù)漏極電流：2A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：65mΩ
總功耗：1W
工作溫度范圍：-55℃ to +150℃
BTR04G02的主要特性包括低導(dǎo)通電阻以減少功率損耗，快速開關(guān)能力確保了在高頻操作中的高效性，同時具備高靜電放電（ESD）防護(hù)能力以提高可靠性。此外，其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間，適合便攜式和空間受限的設(shè)計。
由于采用了先進(jìn)的制造工藝，該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和較低的柵極電荷，這使得驅(qū)動損耗得以降低，并且能夠更方便地與其他邏輯電路兼容。
BTR04G02適用于多種電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
1. 開關(guān)電源中的同步整流
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
3. 電池保護(hù)和管理電路
4. 小型電機驅(qū)動
5. 負(fù)載開關(guān)及過流保護(hù)電路
6. 消費類電子產(chǎn)品中的信號切換功能
BTR04G03, BSS138, FDN340P
