BTR06F1是一款高性能的N溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、開�(guān)電源、電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
該芯片采用了先進的制造工�,在保證高效性能的同時降低了功耗。其封裝形式緊湊,適合需要高密度集成的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
柵極電荷�4nC
開關(guān)時間:開啟延遲時�15ns,上升時�10ns,關(guān)閉延遲時�20ns,下降時�15ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計有效降低功�,提高效��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
3. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常運��
4. 封裝形式緊湊,節(jié)省PCB空間�
5. 高可靠性設(shè)�,滿足工�(yè)級應(yīng)用需��
6. �(nèi)部保護機制完�,包括過流保護和短路保護功能�
1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制元件�
4. 各類負載開關(guān)和保護電��
5. LED�(qū)動器中的功率管理元件�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
BTR06F2, BTR06F3