BTS4175SGA是一款來自英飛凌(Infineon)的高性能、大電流N溝道功率MOSFET,采用TO-263-4封裝形式。該器件專門設計用于汽車電子和工�(yè)應用中的高效率開關電�。其�(yōu)化的導通電阻(Rds(on))和柵極電荷(Qg)特性使其非常適合于負載切換、電機控制和DC-DC轉換等場��
BTS4175SGA的工作電壓范圍為-0.3V�30V,具有非常低的導通電阻以減少功率損�,同時具備快速開關速度以提高系�(tǒng)效率。此�,它還具有反向恢復時間短、熱�(wěn)定性強以及ESD保護等特點�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�58A
導通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極-源極電壓:�20V
總功耗:195W
工作溫度范圍�-40℃至175�
封裝形式:TO-263-4
1. 超低導通電�,能夠顯著降低功率損�,從而提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開關性能,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源管理需��
3. 高電流承載能力,最高可�58A,適用于大功率應用�
4. 工作溫度范圍�,從-40℃到175�,確保在極端�(huán)境下的可靠運行�
5. 內置ESD保護功能,增強芯片的抗靜電能力,提高產品耐用��
6. 封裝形式為TO-263-4,有助于散熱并簡化PCB布局設計�
1. 汽車電子領域,如�(fā)動機控制單元(ECU)、變速器控制、電動車窗及座椅調節(jié)系統(tǒng)�
2. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動和負載切換�
3. DC-DC轉換器與降壓/升壓電路�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于鋰電池組保護和均衡�
5. 開關電源(SMPS)和其他需要高效功率處理的應用場景�
BTS4170S, BTS4171S, IRF540N