BTS555E3146HKSA1是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用OptiMOS技術(shù)制造。該器件主要適用于汽車電子應(yīng)用領(lǐng)域,具有出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性。其設(shè)計(jì)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),確保在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中穩(wěn)定工作。
該芯片采用了HTSSOP-12封裝形式,引腳間距為1.78mm,適合表面貼裝工藝。通過優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu),BTS555E3146HKSA1能夠在高電流和高頻開關(guān)條件下提供高效能表現(xiàn)。
額定電壓:40V
連續(xù)漏極電流:-35A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):29nC
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):85ns
工作溫度范圍:-40℃至175℃
封裝類型:HTSSOP-12
BTS555E3146HKSA1的核心特性包括超低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高可靠性。
1. 超低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅為1.5mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損耗,提升了系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)性能:得益于29nC的低柵極電荷和85ns的短反向恢復(fù)時(shí)間,該器件非常適合高頻應(yīng)用。
3. 高溫穩(wěn)定性:支持最高175℃的工作溫度,能夠適應(yīng)極端環(huán)境條件。
4. 汽車級(jí)品質(zhì):遵循AEC-Q101認(rèn)證,具備卓越的抗干擾能力和長(zhǎng)期可靠性。
此外,其封裝形式緊湊,便于自動(dòng)化裝配,特別適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
BTS555E3146HKSA1廣泛應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及LED驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。
1. 電機(jī)控制:作為功率級(jí)元件,可用于啟動(dòng)和控制各類車載電機(jī)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:憑借其高效的開關(guān)特性,可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓調(diào)節(jié)功能。
3. 負(fù)載開關(guān):在需要頻繁啟閉的電路中,此器件可以減少能量損失并提高響應(yīng)速度。
4. LED驅(qū)動(dòng):用于驅(qū)動(dòng)高亮度LED陣列,確保照明系統(tǒng)的可靠性和能效。
BTS555E3146HSA1, BTS555E3146NSA1