BU-61588P3-100 時間：2025/5/23 12:33:39 閱讀：9

BU-61588P3-100 是一款由 ROHM（羅姆）公司生產的 N 溝道功率 MOSFET 芯片。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特性，適用于需要高效能功率轉換的應用場景。其封裝形式為 HSOP8，適合表面貼裝工藝，并且能夠滿足多種工業(yè)和消費類電子設備的需求。
　　這款 MOSFET 的主要特點在于其優(yōu)化的 RDS(on) 參數，可以顯著降低傳導損耗，同時具備良好的熱性能，有助于提升整體系統(tǒng)效率。

參數

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：2.7A
　　導通電阻：10mΩ
　　柵極電荷：6nC
　　工作溫度范圍：-40℃ 至 +150℃
　　封裝類型：HSOP8

特性

BU-61588P3-100 的設計結合了高性能與緊湊尺寸的優(yōu)點：
　　1. 極低的導通電阻 (RDS(on))，有助于減少能量損失并提高效率。
　　2. 高速開關能力使其非常適合高頻應用環(huán)境。
　　3. 小型化封裝支持更高的板級密度。
　　4. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，確保在惡劣條件下依然保持正常工作。
　　5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛制造工藝。
　　6. 具備優(yōu)異的靜電防護性能 (ESD)，增強產品的耐用性。

應用

該芯片廣泛應用于各種功率管理場合，包括但不限于：
　　1. 開關電源 (SMPS) 和 DC/DC 轉換器。
　　2. 電池充電管理系統(tǒng)。
　　3. LED 照明驅動電路。
　　4. 電機控制和驅動電路。
　　5. 消費類電子產品中的負載切換功能。
　　6. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)模塊。