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BU4S81G2-TR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 21:32:23 查看 閱讀：18

BU4S81G2-TR 是一款雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），主要用于開關(guān)和放大應(yīng)用。該型號(hào)由 ROHM Semiconductor 生產(chǎn)，采用 SOT-23 小型封裝，具有低飽和電壓和高增益的特點(diǎn)，適合用于各種消費(fèi)類電子設(shè)備、通信產(chǎn)品和工業(yè)控制電路中。

參數(shù)

集電極-發(fā)射極飽和電壓：0.2V
　　直流電流增益（hFE）：100
　　集電極最大電流：200mA
　　集電極-發(fā)射極擊穿電壓：50V
　　功率耗散：360mW
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃
　　封裝類型：SOT-23

特性

BU4S81G2-TR 是一種高性能的 NPN 型晶體管，其主要特性包括低飽和電壓、高電流增益以及寬工作溫度范圍。
　　它能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能，并且由于采用了 SOT-23 封裝，因此非常適用于空間受限的設(shè)計(jì)。此外，其高增益使得該器件非常適合于信號(hào)放大的場(chǎng)合，同時(shí)其低飽和電壓也使其成為高效開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。
　　該晶體管還具有良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力，從而確保在各種復(fù)雜環(huán)境下的可靠運(yùn)行。

應(yīng)用

BU4S81G2-TR 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，例如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的音頻信號(hào)放大器、電源管理模塊中的開關(guān)元件、汽車電子系統(tǒng)中的傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)等。
　　此外，它還可以用作繼電器驅(qū)動(dòng)器、LED 驅(qū)動(dòng)器或小型電機(jī)控制器等。在通信設(shè)備中，這款晶體管可以用來實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)的處理與放大功能�？傊�，任何需要小信號(hào)放大或低功耗開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景都可能使用到 BU4S81G2-TR。

替代型號(hào)

BU4S81G2-TA, 2SC3711

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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  • 描述
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bu4s81g2-tr參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭邏輯 - 柵極和逆變器
  • 系列4S
  • 邏輯類型與門
  • 電路數(shù)1
  • 輸入數(shù)2
  • 特點(diǎn)-
  • 電源電壓3 V ~ 16 V
  • 電流 - 靜態(tài)（最大值）1µA
  • 輸出電流高，低3.4mA，3.4mA
  • 邏輯電平 - 低1.5 V ~ 4 V
  • 邏輯電平 - 高3.5 V ~ 11 V
  • 額定電壓和最大 CL 時(shí)的最大傳播延遲30ns @ 15V，50pF
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝5-SSOP
  • 封裝/外殼6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線
  • 包裝帶卷 (TR)